Etch 플라즈마 샘플 위치 헷갈림
2022.06.07 20:57
안녕하세요.
현재, 플라즈마 장비를 이용하여 표면구조 처리를 하고자 하는 대학원생 조원희입니다.
다름이 아니라, 플라즈마를 주로 전공하는 과 가 아니기 때문에, 현재 연구실에 있는 플라즈마 샘플 위치에 헷갈림이 좀 있습니다.
오래전 저희 연구실에서는 O2와 Ar을 이용하여, 표면을 친수성으로 만들거나 고분자에 Ar/O2를 혼합하여 etching을 하였었는데, 경험 하신분들이 다 졸업을 하시는 바람에, 여기에 도움을 청하게 됐습니다.
제가 궁금한 점은,
1. O2만을 이용하여 표면을 친수성으로 만들때의 표면 위치와
2. Ar을 이용하여 etching을 할때의 표면 위치가
두 경우에 다른지가 궁금합니다.
타겟으로 하는 표면을 각각의 경우에, 챔버 내부의 RF Power와 Matching box가 연결되어 있는 부분에 두어야 하는지, 그 반대에 두어야 하는지 혹시 도와주실 분이 계신가요..?
참고로 샘플은 PDMS (고분자) 입니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] | 76712 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20164 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57164 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68688 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92255 |
788 | RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [1] | 20 |
787 | 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] | 51 |
786 | Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] | 56 |
785 | 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] | 61 |
784 | 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 | 68 |
783 | Impedance I 값을 결정 짓는 요소 관련 질문 [1] | 71 |
782 | RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] | 79 |
781 | 반사파에 의한 micro arc 질문 [2] | 81 |
780 | RF generator의 AMP 종류 질문입니다. [1] | 100 |
779 | CF4/Ar 을 활용한 Si/SiO2 에칭에 관한 질문입니다. [1] | 101 |
778 | Microwave & RF Plasma [1] | 108 |
777 | sputtering 을 이용한 film depostion [1] | 108 |
776 | ICP에서의 Self bias 효과 [1] | 114 |
775 | skin depth에 대한 이해 [1] | 118 |
774 | 챔버 내 전자&이온의 에너지 손실에 대해 [1] | 122 |
773 | ICP에서 전자의 가속 [1] | 132 |
772 | DBD 플라즈마 작동 시 유전체에 가해지는 데미지 [1] | 136 |
771 | 파장길이와 동축 케이블 길이 관련 문의드립니다 [2] | 145 |
770 | LXcat Dataset에 따른 Plasma discharge 에 대한 질문입니다. [1] | 146 |
769 | Non-maxwellian 전자 분포의 원인 [1] | 156 |