안녕하세요. CCP TYPE의 Chamber에 관한 문의점이 있습니다.

 

CCP 방식의 Chamber에서 HF를 이용하여 Plasma를 생성할여 Deposition을 진행하는 공정의 경우 Wafer가 안착되는 Plate의 온도가 Shower Head 보다 일반적으로 높은 조건을 사용하게 됩니다.

이때 HF의 주파수를 기존의 2배로 변경하게되면 Plasma의 밀도가 증가할 것으로 생각되며 다양한 변화가 발생할 것으로 생각됩니다.

그럼 온도 측면에서 Shower Head에 열전달 변화가 발생할까요?

저압에서 진행하는 공정 특성상 Plasma 온도변화가 Shower Head에 미치는 영향은 미비할것으로 생각되는데 주파수 변화와 Plasma 온도와 관련된 논문을 찾을 수 없어서 문의드립니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [143] 5803
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 17213
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 53031
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64476
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 85090
698 실리콘 수지 코팅 Tool에 Plasma 클리닝 시 코팅 제거 유/무 [1] 18
697 CCP RIE 플라즈마 밀도 [1] 36
696 ICP lower power 와 RF bias [1] 51
695 기판표면 번개모양 불량발생 [1] 61
694 RF 전압인가 시 LF와 HF 에서의 Sheath 비교 [1] 89
693 방전수 활성종 중 과산화수소 측정에 관련하여 질문드립니다. [1] 124
692 진공수준에 따른 RF plasma 영향 관련 질문 [1] file 144
691 plasma modeling 관련 질문 [1] 150
690 ESC DC 전극 Damping 저항 159
689 구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다. [1] file 169
688 AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 180
687 OES 파장 관련하여 질문 드립니다. [1] 207
686 Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time 거동 [1] file 208
685 RF Sputtering Target Issue [1] file 213
684 plasma striation 관련 문의 [1] file 218
683 Polymer Temp Etch [1] 220
682 RPSC 시 Pressure와 Throttle Valve Position의 관계 [1] file 230
681 스퍼터링 Dep. 두께 감소 관련 문의사항 [1] 231
680 공정 진행 중 의도적인 섭동 효과에 대해서 질문 드립니다. [1] 232
679 Sticking coefficient 관련 질문입니다. [1] 240

Boards


XE Login