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공지 |
[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
[317]
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공지 |
Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
| 22004 |
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공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
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공지 |
kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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공지 |
질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
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193 |
플라즈마 식각 커스핑 식각량
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192 |
RF sputtering reflect power에 대해서 질문 남깁니다.
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191 |
ExB drift 식 유도 과정에서의 질문 [삼각함수의 위상각]
[1] | 158 |
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190 |
ICP 장비 TCP Reflect 발생 간 조언 부탁드립니다.
[1] | 161 |
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189 |
Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [Base pressure 이해]
[1] | 190 |
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188 |
Wafer Capacitance 성분과 Vdc 관계 문의드립니다. [Sheath 크기 및 전위 분포]
[1] | 197 |
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187 |
공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [Sheath uniformity 이해]
[1] | 228 |
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186 |
가스 조성 및 온도에 따른 식각률 관련 질문입니다. [Arrhenius equation 이해]
[1] | 229 |
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185 |
Debey Length에 대해 문의 드립니다. [플라즈마 정의와 Deybe length]
[1] | 245 |
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184 |
HF PLASMA DEPOSITION 시 POWER에 따른 DEP RATE 변화 [장비 플라즈마, Rate constant]
[1] | 247 |
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183 |
화장품 원료의 플라즈마 처리 문의 [환경 플라즈마]
[1]  | 257 |
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182 |
AP plasma 공정 관련 문의 [OES 활용 장비 플라즈마 데이터 분석]
[1] | 277 |
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181 |
Dielectric Etcher(CCP)에서 사용하는 주파수 [Plasma frequency 및 RF sheath]
[2] | 285 |
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180 |
Sputtering을 이용한 film deposition [진공 및 오염입자의 최소화]
[1] | 295 |
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179 |
FTIR분석을 이용한 SiO2성막 해석
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178 |
Compressive한 Wafer에 대한 질문 [박막]
[1] | 318 |
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177 |
ICP dry etch 시 공정 문의 사항.
[1] | 338 |
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176 |
Cu migration 방지를 위한 스터디 [전자재료]
[1] | 358 |
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175 |
플라즈마 식각 시 notching 현상 관련 [Ar, O2 플라즈마 생성 특성]
[1] | 364 |
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174 |
gas에 따른 deposition rate 및 저항질문 있습니다 [박막 문제]
[1] | 382 |
