안녕하세요, 저는 반도체 장비 회사에서 PECVD 설비를 개발하고 있는 이장혁이라고 합니다.


최근 개발하고 있는 설비의 CONTACT FILL 능력이 문제가 되고 있는데요, 일단 DEPO RATE 관점에서 원인을 찾으려고 하고 있습니다.


PECVD 공정의 D/R 에 영향을 주는 인자는 여러가지가 있겠지만 여기서 여쭤보고 싶은 건 FREQUENCY 인데요....


다른 조건이 고정되어 있을 때 FREQUENCY 가 높아지면 D/R 이 빨라지나요? 참고로 말씀드리면 DEPO 하는 막질은 TI 이고 PRECURSOR 로는 TICL4 를 사용합니다.  

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76714
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20170
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57164
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68695
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92270
788 RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [1] 27
787 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] 52
786 Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] 56
785 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] 61
784 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 68
783 Impedance I 값을 결정 짓는 요소 관련 질문 [1] 75
782 RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] 79
781 반사파에 의한 micro arc 질문 [2] 82
780 RF generator의 AMP 종류 질문입니다. [1] 100
779 CF4/Ar 을 활용한 Si/SiO2 에칭에 관한 질문입니다. [1] file 104
778 Microwave & RF Plasma [1] 110
777 sputtering 을 이용한 film depostion [1] 110
776 ICP에서의 Self bias 효과 [1] 117
775 skin depth에 대한 이해 [1] 121
774 챔버 내 전자&이온의 에너지 손실에 대해 [1] 123
773 ICP에서 전자의 가속 [1] 133
772 DBD 플라즈마 작동 시 유전체에 가해지는 데미지 [1] 136
771 파장길이와 동축 케이블 길이 관련 문의드립니다 [2] 145
770 LXcat Dataset에 따른 Plasma discharge 에 대한 질문입니다. [1] 146
769 CCP장비 discharge 전압 및 전류 측정 방법 과 matcher 문제 관하여 [2] file 158

Boards


XE Login