Etch Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유
2023.03.24 09:08
안녕하세요. 교수님
후공정 기업에서 Sputtering 공정을 관리하는 신입 엔지니어입니다.
일을 배우며, 전공적으로 이해가 되지 않는 부분이 있으나,
이론적으로 알려주는 선배들이 없어 교수님 도움 받고자 질문글 남깁니다.
저희는 박막 증착 전, 표면적을 넓혀 adhesion을 높이기 위해,
Ar Plasma Etching을 진행하고 있습니다.
허나, 표면이 Metal 혹은 Si 일 경우, Ar Plasma Etching을 진행하지 않습니다.
"쇼트가 날 수 있어, 진행하면 안된다."라고는 들었는데, 이해가 잘 되지 않습니다.
제가 세운 가설은 Etching된 Metal (혹은 Si) 이 Sheild에 증착되어,
Wafer와 닿을 정도로 성장해 접지가 되어 plasma의 지속이 멈추는 것입니다.
교수님, 제가 이해한 것이 맞을까요?
도움 부탁 드립니다.
+Plasma type은 ICP(RF)이며, Ar gas로만 plasma 형성합니다.
또한, Quartz Chamber 사용하고 있습니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] | 76539 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20076 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57115 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68613 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 91695 |
783 | ICP에서의 Self bias 효과 [1] | 12 |
782 | CF4/Ar 을 활용한 Si/SiO2 에칭에 관한 질문입니다. [1] | 30 |
781 | 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] | 35 |
780 | Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] | 39 |
779 | 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] | 50 |
778 | 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 | 55 |
777 | Microwave & RF Plasma [1] | 64 |
776 | RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] | 70 |
775 | RF generator의 AMP 종류 질문입니다. [1] | 75 |
774 | sputtering 을 이용한 film depostion [1] | 82 |
773 | 파장길이와 동축 케이블 길이 관련 문의드립니다 [2] | 93 |
772 | 챔버 내 전자&이온의 에너지 손실에 대해 [1] | 101 |
771 | ICP에서 전자의 가속 [1] | 104 |
770 | 플라즈마 식각 시 notching 현상 관련 [1] | 113 |
769 | 플라즈마 밀도와 라디칼 [1] | 118 |
768 | DBD 플라즈마 작동 시 유전체에 가해지는 데미지 [1] | 129 |
767 | CCP장비 discharge 전압 및 전류 측정 방법 과 matcher 문제 관하여 [2] | 129 |
766 | Edge ring의 역할 및 원리 질문 [1] | 135 |
765 | LXcat Dataset에 따른 Plasma discharge 에 대한 질문입니다. [1] | 141 |
764 | FTIR분석을 이용한 SiO2성막 해석 | 154 |