Others 공정검사를 위한 CCD 카메라 사용
2004.06.19 16:42
만일 플라즈마의 on/off 상태를 알 고자 함이면 일반적인 CCD 카메라를 이용해서
감시할 수 있을 것이며 특별할 상태의 빛 파장대를 관찰하고자 한다면 이 주파수에
맞는 lenz와 filter등을 이용한 CCD를 사용하여야 합니다. 혹은 corona streamer
등을 측정하고자 한다면 수 mirosec의 변화를 관찰할 수 있는 intensified CCD를
사용하게 됩니다. 이때는 CCD의 time resolution이 문제가 되니 이점을 잘 고려
하여야 할 것입니다.
댓글 0
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [160] | 73034 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 17630 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 55517 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 65701 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 86031 |
706 | Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] | 19 |
705 | OES를 통한 공정 개선 사례가 있는지 궁금합니다. [1] | 35 |
704 | 실리콘 수지 코팅 Tool에 Plasma 클리닝 시 코팅 제거 유/무 [1] | 66 |
703 | Self bias 내용 질문입니다. [1] | 77 |
702 | 정전척의 chucking voltage 범위가 궁금합니다. [1] | 94 |
701 | 챔버 시즈닝에 대한 플라즈마의 영향성 [1] | 105 |
700 | self bias [1] | 108 |
699 | 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [1] | 113 |
698 | PECVD Cleaning에서 Ar Gas의 역활 [1] | 127 |
697 |
구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다.
[1] ![]() | 180 |
696 | 기판표면 번개모양 불량발생 [1] | 205 |
695 | AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 | 207 |
694 | CCP RIE 플라즈마 밀도 [1] | 211 |
693 | plasma modeling 관련 질문 [1] | 236 |
692 | 공정 진행 중 의도적인 섭동 효과에 대해서 질문 드립니다. [1] | 246 |
691 | ESC DC 전극 Damping 저항 | 247 |
690 |
Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time 거동
[1] ![]() | 263 |
689 |
plasma striation 관련 문의
[1] ![]() | 263 |
688 | 스퍼터링 Dep. 두께 감소 관련 문의사항 [1] | 271 |
687 | OES 파장 관련하여 질문 드립니다. [1] | 273 |