Sputtering DCMagnetron Sputter에서 (+)전원 인가시
2004.06.25 16:40
질문 ::
DC MAGNETRON SPUTTER에서 T/G쪽에 (-)를 인가하는데
(+)를 인가하면 SPUTTERING이 가능한지요?????
답변 ::
Sputtering은 타겟 표면의 에너지를 인가하여 시편 표면의 원자들이
튀어나옴으로서 가능합니다. 따라서 타겟 표면에 에너지를 효율적으로
전달하기 위해서는 플라즈마 내에서 질량이 큰 입자를 사용하고
이 입자에 에너지를 효율적으로 줄 수 있어야 합니다. 이 조건을
만족하는 것은 이온으로 양전하를 띄고 있어 전기장을 인가함으로서
이온에 에너지를 줄 수 있으며 질량도 큽니다. 따라서 에너지 높은
이온을 이용하려면 타겟에 음전위를 인가해야 할 지 양전위를 인가해야
할가에 대한 답이 나옵니다. 여기서 양전위 혹은 음전위의 기준 전위는
밖에서 정하는 접지 전위가 아닌 플라즈마 전위 혹은 플라즈마 부유 전위가 기준이 됩니다. 참고하세요
댓글 0
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] | 76728 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20190 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57167 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68699 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92278 |
| 789 | 플라즈마 설비에 대한 질문 | 13 |
| 788 | RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [1] | 33 |
| 787 | 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] | 53 |
| 786 | Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] | 59 |
| 785 | 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] | 62 |
| 784 | 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 | 68 |
| 783 | RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] | 80 |
| 782 | Impedance I 값을 결정 짓는 요소 관련 질문 [1] | 80 |
| 781 | 반사파에 의한 micro arc 질문 [2] | 85 |
| 780 | RF generator의 AMP 종류 질문입니다. [1] | 100 |
| 779 |
CF4/Ar 을 활용한 Si/SiO2 에칭에 관한 질문입니다.
[1]  | 111 |
| 778 | Microwave & RF Plasma [1] | 112 |
| 777 | sputtering 을 이용한 film depostion [1] | 113 |
| 776 | 챔버 내 전자&이온의 에너지 손실에 대해 [1] | 124 |
| 775 | skin depth에 대한 이해 [1] | 125 |
| 774 | ICP에서의 Self bias 효과 [1] | 129 |
| 773 | DBD 플라즈마 작동 시 유전체에 가해지는 데미지 [1] | 136 |
| 772 | ICP에서 전자의 가속 [1] | 137 |
| 771 | LXcat Dataset에 따른 Plasma discharge 에 대한 질문입니다. [1] | 146 |
| 770 | 파장길이와 동축 케이블 길이 관련 문의드립니다 [2] | 149 |