ESC 안녕하세요. O2 Plasma 관련 질문좀 드리겠습니다.
2011.04.05 11:28
안녕하세요. 반도체 장비회사에 재직중인 직장인 입니다.
O2 plasma 관련 글을 검색하다가, O2 plasma 에는 음이온이 다수 존재하여 Matching 조건이 다른 Plasma 와 조금
다를 수 있다는 내용을 보았는데요..
현재 O2 Plasma 를 사용하는 Ashing 공정에서 ESC 를 인가하는 조건과 인가하지 않는 조건 간에 Matching trend 가 매우
다른 현상이 발견되고 있습니다. ESC 에 인가되는 + DC Power 와 음이온 발생 분위기와 어떠한 상관 관계가 있는지 궁금
합니다. 실제로 ESC 에 인가되는 +DC 전압이 Chamber 내부의 음이온 발생 정도와 관계가 있을 수 있는지요?
댓글 0
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] | 76712 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20168 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57164 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68692 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92266 |
| 788 | RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [1] | 21 |
| 787 | 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] | 51 |
| 786 | Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] | 56 |
| 785 | 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] | 61 |
| 784 | 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 | 68 |
| 783 | Impedance I 값을 결정 짓는 요소 관련 질문 [1] | 72 |
| 782 | RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] | 79 |
| 781 | 반사파에 의한 micro arc 질문 [2] | 81 |
| 780 | RF generator의 AMP 종류 질문입니다. [1] | 100 |
| 779 |
CF4/Ar 을 활용한 Si/SiO2 에칭에 관한 질문입니다.
[1]  | 101 |
| 778 | Microwave & RF Plasma [1] | 108 |
| 777 | sputtering 을 이용한 film depostion [1] | 108 |
| 776 | ICP에서의 Self bias 효과 [1] | 115 |
| 775 | skin depth에 대한 이해 [1] | 119 |
| 774 | 챔버 내 전자&이온의 에너지 손실에 대해 [1] | 123 |
| 773 | ICP에서 전자의 가속 [1] | 132 |
| 772 | DBD 플라즈마 작동 시 유전체에 가해지는 데미지 [1] | 136 |
| 771 | 파장길이와 동축 케이블 길이 관련 문의드립니다 [2] | 145 |
| 770 | LXcat Dataset에 따른 Plasma discharge 에 대한 질문입니다. [1] | 146 |
| 769 | Non-maxwellian 전자 분포의 원인 [1] | 157 |