Others Plasma 에칭 후 정전기 처리
2016.03.09 10:42
안녕하세요.
제가 플라즈마를 이용한 에칭 장비를 담당 하고 있습니다.
ICP 타입의 장비이며, 1Pa 조건에서 N2와 O2를 이용, RF Power 가하여
공정을 진행하고 있습니다.
남아있는 전하에 의해서 정전기가 생기는것 같아
이것을 없애고 싶습니다.
지금 제가 생각하고 있는 방법은
에칭이 끝난 후에
Ar gas를 이용하여 RF Power 를 약하게 해서
후처리 형식으로 ,대전되있는 Glass를 제전시키고자 합니다.
자문을 구할때도 없고, 구글만 내내 검색하고 있던차에
플라즈마 응용연구실을 접하게되었습니다.
저보다 학식도 높고 플라즈마 분야에서는 전문가이실것 같아
이렇게 여쭤보게되었습니다.
도움부탁드립니다.
1. Plasma Etching 공정 후 남아있는 전하량 측정관련 참고문헌 소개.
2. 남아있는 전하량을 진공 (1Pa이하)에서 제거할수있는 방법 이 있는지.
3. Ar gas에 RF Power를 얼마나 가해야 플라즈마 상태로 바뀌는지.
댓글 3
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] | 76677 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20150 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57151 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68672 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92181 |
787 | 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] | 50 |
786 | Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] | 54 |
785 | 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] | 60 |
784 | Impedance I 값을 결정 짓는 요소 관련 질문 [1] | 60 |
783 | 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 | 67 |
782 | 반사파에 의한 micro arc 질문 [2] | 67 |
781 | RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] | 78 |
780 | CF4/Ar 을 활용한 Si/SiO2 에칭에 관한 질문입니다. [1] | 83 |
779 | ICP에서의 Self bias 효과 [1] | 93 |
778 | RF generator의 AMP 종류 질문입니다. [1] | 96 |
777 | skin depth에 대한 이해 [1] | 99 |
776 | sputtering 을 이용한 film depostion [1] | 101 |
775 | Microwave & RF Plasma [1] | 103 |
774 | 챔버 내 전자&이온의 에너지 손실에 대해 [1] | 117 |
773 | ICP에서 전자의 가속 [1] | 126 |
772 | Non-maxwellian 전자 분포의 원인 | 128 |
771 | DBD 플라즈마 작동 시 유전체에 가해지는 데미지 [1] | 135 |
770 | 파장길이와 동축 케이블 길이 관련 문의드립니다 [2] | 135 |
769 | LXcat Dataset에 따른 Plasma discharge 에 대한 질문입니다. [1] | 146 |
768 | CCP장비 discharge 전압 및 전류 측정 방법 과 matcher 문제 관하여 [2] | 149 |