Deposition PECVD 증착에서 etching 관계 [PECVD 증착]

2019.03.20 09:00

음월 조회 수:1715

안녕하십니까? 현재 CVD 장비 회사에 재직중입니다.

 

다름이 아니라 PECVD 를 이용한 SiNx 증착 test 중, 두께가 쌓을수록 굴절률이 낮아지는 현상으로

 

많은 고뇌를 하고 있습니다.

 

SiNx 증착에 사용되는 GAS 는 SiH4, Ar, H2, NH3, N2 총 5가지 입니다.

 

원하는 시간에 target 두께의 막은 얻지만, 굴절률이 점점 감소합니다.

(plasma 노출시간에 길어지면 길어질수록 굴절률이 더더욱 감소합니다.)

 

쌓일수록 ETCHING 으로인해 박막이 porous 해질 수 있는지,

 

혹은 특별한 경우가 있는지 여쭙고자 질문드립니다.

 

이상입니다.

감사합니다.

, , , 이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [313] 79549
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 21329
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 58124
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69691
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 94588
824 ESC 사용 공정에서 Dummy Wafer Chuck Force 에 대해서 궁급합니다 [1] 11
823 liquid plasma 공부 방향에 대해서 알고싶습니다. [1] 24
822 ICP 장비 TCP Reflect 발생 간 조언 부탁드립니다. [1] 64
821 C2H2 플라즈마코팅시 가스 원인과 대책 68
820 Surface wave plasma 조건에 관해 질문드립니다. [표면파의 전파] [1] 85
819 플라즈마 식각 커스핑 식각량 91
818 스터퍼링시 기판 온도 계산에 대해 질문드립니다! [열전달 방정식 이해] [1] 115
817 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [유전체 상태 모니터링] [1] 117
816 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 123
815 Druyvesteyn Distribution 123
814 ExB drift 식 유도 과정에서의 질문 [삼각함수의 위상각] [1] 129
813 Ion 입사각을 확인하는 방법 문의드립니다 [식각 플라즈마의 가장자리 균일도 제어] [1] 130
812 RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [RF 전원과 매칭] [1] 134
811 RF sputtering reflect power에 대해서 질문 남깁니다. 135
810 DBD 방전 방식의 저온 플라즈마 관련해서 3가지 질문 드립니다. [DBD 방전과 DC breakdown] [1] 138
809 Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [Base pressure 이해] [1] 151
808 micro arc에 대해 질문드립니다. [DC glow 방전과 breakdown 전기장] [1] 151
807 HF PLASMA DEPOSITION 시 POWER에 따른 DEP RATE 변화 [장비 플라즈마, Rate constant] [1] 166
806 Wafer Capacitance 성분과 Vdc 관계 문의드립니다. [Sheath 크기 및 전위 분포] [1] 174
805 플라즈마 설비에 대한 질문 183
쓰기
태그

Boards

XE Login