안녕하세요, 반도체산업으로 취업을 준비하는 학부생입니다.

제가 가진 자료에서는 CCP 방식이 플라즈마 밀도가 낮고 균일도는 높으며, ICP는 이와 반대라는 내용만 있고 그에 대한 근거는 언급되어 있지 않아서 이 사이트를 포함해서 구글링을 통해 근거를 탐구하고 있습니다.


그러나 제가 찾은 여러 자료들 속에 근거의 재료들이 있었을 것이라고 생각이 들지만, 학부생의 시각에서는 이해가 어려워서 재료들을 연결해서 답으로 도출하는 데 어려움이 있었습니다. 그래서 최종적으로 이렇게 질문으로 남기게 되었습니다.


1. 플라즈마 밀도에 대해서, CCP는 전자이동이 전극 간 전기장에 의한 운동이어서 전극에 의한 소멸로 인해 밀도가 낮고, ICP는 전자이동이 원운동이어서 전극에 관계 없이 충돌 전 까지 계속해서 가속이 가능하기 때문에 밀도가 높다고 정리를 했습니다. 좀 더 첨언이나 수정이 있는지 의견을 구하고 싶습니다.


2. 밀도에 관해서는 그나마 근거도출에 접근할 수 있었으나, 균일도에 관해서는 도저히 근거를 도출할 수 없어서 안타깝게도 교수님의 의견을 듣고 싶습니다.

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