안녕하세요? 반도체 회사 연구원입니다.

 

반도체 Etching 공정관련 한 가지 궁금한 사항 문의드리고자 질문올립니다.

 

Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring 소재의 유전율과 체적저항이 챔버 내 Plasma 형성에 영향을 미치는지 궁금합니다.

(최근에는 CVD SiC Ring을 많이 활용하고 있습니다.)

 

예를들어, 유전상수와 체적저항이 ~할수록 Plasma가 생정되는 정도와 분포가 어떤식으로 변화할까요?

 

조금은 포괄적인 질문이라 답변이 어려울수도있겠습니다.

 

감사합니다. 교수님.

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