안녕하세요 반도체 관련 현직자 입니다.

 

ESC Dechuck과 관련해서 Bipolar, Coulombic ESC에서 Back면이 Polished 된 Wafer로 SEA 진행할 경우

Discharge가 제대로 되지 않아 Dechuck을 하지 못하는 Error가 다발하는 경우가 있었는데

 

Back 면이 Polished 되지 않은, 즉 back면이 Rough한 Wafer로 SEA을 진행하니 Dechuck이 안되던 Error가 말끔히 사라졌습니다.


구글링을 해서 겨우겨우 관련 논문을 찾아서 보다보니

 

ESC의 MESA부분은 Wafer가 닿게되고 MESA가 없는부분은 Wafer가 닿지 않을텐데

이렇게 MEASA에 닿는부분이 F(contact)이고 닿지 않는부분을 F(Non-Contact)이라고 할때

F(remain) = F(Contact) + F(Non-contact) 이더라구요....

 

그래서 Non-Contact을 줄이긴 힘들거같고.... 결국은 Non Polished Wafer를 사용하게되면 MESA랑 닿게되는 면적이 줄어들어서

F(Contact)이 작아지게되고 결국 Remain Force가 작아져서 Dechuck이 더 잘되는 mechanism이 맞을까요...??

 

Chuck, Dechuck System에 대해서 전문적인 지식이 부족하여 관련 지식을 나눠주시면 정말 감사하겠습니다. 

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [46] 963
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 748
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 49342
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 58726
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [1] 72991
628 구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다. [1] file 87
627 공정 진행 중 의도적인 섭동 효과에 대해서 질문 드립니다. [1] 102
626 잔류시간 Residence Time에 대해 [1] 137
625 ESC Polymer cracking 제거를 위한 ISD 공정 문의 138
624 플라즈마를 통한 정전기 제거관련. [1] 142
623 CF3의 wavelength가 궁금해서 질문드립니다. [1] 146
622 Decoupled Plasma 관련 질문입니다. [1] 150
621 ESC 표면 온도랑 식각률의 차이가 어떤 관계로 있는걸까요?? [1] 150
620 플라즈마 이용 metal residue 제거방법 문의드립니다. [1] 157
619 anode sheath 질문드립니다. [1] 163
618 RF 전류가 흐르는 Shower head를 TC로 온도 측정 할 때 [1] 165
617 H-field 측정위치에 따른 H Field MAP 변화 관련 [1] 165
616 타겟 임피던스 값과 균일도 문제 [1] 171
615 라디컬의 재결합 방지 [1] 171
614 자외선 세기와 결합에너지에 대해 질문드립니다. [1] 173
613 electron energy distribution에 대해서 질문드립니다. [2] 175
612 KM 모델의 해석에 관한 질문 [1] 177
611 CVD 막질의 성질에 대해 질문드립니다. [1] 181
610 전자 온도에 대한 질문이 있습니다. [1] 190
609 Fluoride 스퍼터링 시 안전과 관련되어 질문 [1] 191

Boards


XE Login