안녕하십니까, 항상 검색을 통해 다양한 정보를 얻을 수 있어 감사히 생각하고 있습니다.

 

ICP Etcher에서 Al (상하부 Ti) 식각할 때 Cl2+BCl3 베이스로 식각한 뒤

 

부산물인 AlCl3 또는 Cl 이온이 잔류한 상태로 대기에 노출되면 부식의 원인이 되기도 하고, 당장 부식이 생기지 않더라도 전기적 구동 평가시에 부식 또는 신뢰성 불량으로 이어질 수 있는 것으로 알고 있습니다.

 

따라서 저는 CF4, O2 플라즈마로 약 30~60초간 후처리하여 AlCl3를 AlF3로 치환하는 방식으로 이를 제어하고 있습니다.

 

1. 이처럼 잔류 이온을 컨트롤할 수 있는 또 다른 방법에는 어떤 것들이 있는지 궁금합니다.

(찾아보니 N2, H2O 플라즈마도 효과가 있다는데 N2는 어떤 원리인지 잘 모르겠네요.)

각종 연구실이나 기업 등에서는 어떤 방식으로 잔류 이온 제어(부식 방지)를 하고 있는지? 과거/최근 적용 사례나 연구 동향 등이 궁금합니다.

또는 새롭게 평가해볼만한 아이디어도 고민 중에 있습니다.

 

2. 단순히 최상부막 Metal에 남는 AlCl3 뿐만 아니라 하부막에 박히는 Cl 이온도 악영향이 있겠죠?

 

3. CF4 처리를 하더라도 AlF3나 하부막 F이온도 정도가 덜할 뿐 비슷한 side effect이 생길 것 같습니다. 애초에 잔류 Cl 이온을 줄이거나 완전히 제거할 수 있는 방법이 있을까요..?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [113] 4929
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16274
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51250
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 63767
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [2] 83576
679 plasma striation 관련 문의 file 6
678 주파수 변화와 Plasma 온도 연관성 23
677 Chamber impedance 범위에 대해 질문드립니다. 30
676 Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time 거동 file 38
675 RPSC 시 Pressure와 Throttle Valve Position의 관계 [1] file 61
674 Polymer Temp Etch [1] 62
673 방전수 활성종 중 과산화수소 측정에 관련하여 질문드립니다. [1] 83
672 Plasma Ignition 시 Gas 사용에 대한 궁금증 요청드립니다. [1] 83
671 Plasma Arching [1] 103
670 AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 106
669 스퍼터링 Dep. 두께 감소 관련 문의사항 [1] 141
668 구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다. [1] file 159
667 CCP Plasma 해석 관련 문의 [1] file 199
666 플라즈마 진단 공부중 질문 [1] 204
665 반도체 관련 플라즈마 실험 [1] 204
664 플라즈마 세정처리한 PCB, Lead Frame 재활용 방법 [1] 206
663 공정 진행 중 의도적인 섭동 효과에 대해서 질문 드립니다. [1] 208
662 안녕하세요 DBD 플라즈마 소독 관련질문입니다. [1] 215
661 Dry Chamber VPP 변동 관련 질문입니다 [1] 222
660 RF Power 인가 시 Gas Ramping Flow 이유 [1] 252

Boards


XE Login