Shower head 주파수 변화와 Plasma 온도 연관성
2022.09.26 19:29
안녕하세요. CCP TYPE의 Chamber에 관한 문의점이 있습니다.
CCP 방식의 Chamber에서 HF를 이용하여 Plasma를 생성할여 Deposition을 진행하는 공정의 경우 Wafer가 안착되는 Plate의 온도가 Shower Head 보다 일반적으로 높은 조건을 사용하게 됩니다.
이때 HF의 주파수를 기존의 2배로 변경하게되면 Plasma의 밀도가 증가할 것으로 생각되며 다양한 변화가 발생할 것으로 생각됩니다.
그럼 온도 측면에서 Shower Head에 열전달 변화가 발생할까요?
저압에서 진행하는 공정 특성상 Plasma 온도변화가 Shower Head에 미치는 영향은 미비할것으로 생각되는데 주파수 변화와 Plasma 온도와 관련된 논문을 찾을 수 없어서 문의드립니다.
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] | 76649 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20146 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57146 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68668 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92120 |
| 787 | 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] | 48 |
| 786 | Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] | 52 |
| 785 | 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] | 57 |
| 784 | Impedance I 값을 결정 짓는 요소 관련 질문 [1] | 57 |
| 783 | 반사파에 의한 micro arc 질문 [2] | 58 |
| 782 | 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 | 66 |
| 781 | RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] | 78 |
| 780 |
CF4/Ar 을 활용한 Si/SiO2 에칭에 관한 질문입니다.
[1]  | 79 |
| 779 | ICP에서의 Self bias 효과 [1] | 86 |
| 778 | skin depth에 대한 이해 [1] | 88 |
| 777 | RF generator의 AMP 종류 질문입니다. [1] | 90 |
| 776 | Microwave & RF Plasma [1] | 99 |
| 775 | sputtering 을 이용한 film depostion [1] | 100 |
| 774 | Non-maxwellian 전자 분포의 원인 | 110 |
| 773 | 챔버 내 전자&이온의 에너지 손실에 대해 [1] | 115 |
| 772 | 파장길이와 동축 케이블 길이 관련 문의드립니다 [2] | 124 |
| 771 | ICP에서 전자의 가속 [1] | 124 |
| 770 | DBD 플라즈마 작동 시 유전체에 가해지는 데미지 [1] | 135 |
| 769 |
CCP장비 discharge 전압 및 전류 측정 방법 과 matcher 문제 관하여
[2] | 143 |
| 768 | LXcat Dataset에 따른 Plasma discharge 에 대한 질문입니다. [1] | 144 |
VHF 를 쓰면 전자 가열이 심화됩니다. 다만 neutral 밀도 (즉 압력)이 높이면 그 가열 효과는 감쇄되나 neutral의 온도는 오를 수 있습니다. 단순하게 RF 주파수가 증가시켜 전자 가열이 커지면 이로서 고밀도 플라즈마 형성이 가능하고, 벽으로 빠져나가는 전자 및 이온 속이 커지게 되니, 고밀도 플라즈마의 벽면의 온도는 오를 수 있습니다. 시편의 온도 증가도 같은 현상으로 해석이 가능합니다.