안녕하십니까 RF Power 공급 업체에 다니고 있는 직장인 입니다.

한가지 궁금한 점이 있어서 질문 올립니다.

현재 장비사에서 다른 Power 업체에서 사용하던 것을 저희 업체로 변경 하여 사용했는데

공정 결과 ER이 20% 낮게 나왔다고 합니다.

공정 시 같은 Power, 같은 ICP설비 안테나로 진행 하였으며 RF Matcher와 RF Generator의 Maker만 바뀐 상황입니다.

이와 관련하여 혹시 Matcher가 ER을 낮게 할 수 있는 원인이 될 수 있는지 여부가 궁금합니다.

혹시 관련된 자료 있으면 링크좀 부탁드리겠습니다.

감사합니다.
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76538
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91695
603 RF 전류가 흐르는 Shower head를 TC로 온도 측정 할 때 [1] 850
602 플라즈마 세정 장비 (CCP구조)에서 자재 로딩 수에 따른 플라즈마 효과 및 Discolor [1] file 856
601 문의 드립니다. [1] 858
600 플라즈마 이용 metal residue 제거방법 문의드립니다. [1] 860
599 Dry Chamber VPP 변동 관련 질문입니다 [1] 862
598 O2 Asher o-ring 문의드립니다. [1] 878
597 Plasma Generator 관련해서요. [1] 905
596 플라즈마 구에서 나타나는 현상이 궁금합니다. [1] 911
595 Shield 및 housing은 ground 와 floating 중 어떤게 더 좋은지요 [2] 923
594 플라즈마 기초에 관하여 질문드립니다. [1] 934
593 3-body recombination 관련 문의드립니다. [2] 940
592 CCP에서 접지된 전극에 기판을 놓았을 때 반응 [1] 948
591 상압플라즈마 제품 원리 질문드립니다 [2] 949
590 플라즈마를 이용한 오존 발생기 개발 문의 件 [1] 951
589 Sticking coefficient 관련 질문입니다. [1] 951
588 O2 Plasma 에칭 실험이요 [1] 952
587 RF tune position 과 Vrms의 관계가 궁금합니다 [1] 959
586 anode sheath 질문드립니다. [1] 959
585 Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] 965
584 Tungsten 표면 Contamination 제거(실명재등록) [1] 966

Boards


XE Login