안녕하세요, 교수님. 반도체 업종 엔지니어로 일하고 있는 김기영입니다.

 

다름 아니라 보통 Pressure 영역대가 낮아질수록 아킹이 더 잘 발생한다고 하는데

 

왜 Low Pressure 영역이 High Pressure 영역보다 Arcing 이 취약한지 문의드립니다.

 

 

 

 

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [181] 74898
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 18754
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 56234
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 66728
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 88161
539 Plasma arcing 관련하여 문의드립니다. [1] 945
538 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 958
537 wafer bias [1] 960
536 고전압 방전 전기장 내 측정 [1] file 961
535 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] 962
534 플라즈마 관련 교육 [1] 964
533 OES 분석 관련해서 질문드립니다. [1] 965
532 RF Generator 주파주에 따른 Mathcer Vrms 변화. [1] 968
531 플라즈마 주파수 예측관련 질문드립니다 [1] 972
530 플라즈마 코팅 [1] 983
529 플라즈마 형성시 하전입자의 밀도와 챔버에 관련해서 질문드립니다. [2] 985
528 CVD 막질의 성질에 대해 질문드립니다. [1] 986
527 ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] 994
526 N2 / N2O Gas 사용시 Plamsa 차이점 [1] 998
525 알고싶습니다 [1] 1014
524 Group Delay 문의드립니다. [1] 1022
523 standing wave effect에 대한 질문이 있습니다. [1] 1034
522 plasma 형성 관계 [1] 1035
521 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 1047
520 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 1055

Boards


XE Login