Process Ta deposition시 DC Source Sputtreing
2022.11.19 05:11
안녕하세요
현재 반도체관련 회사에 재직중입니다.
다름아니라 Ta material을 Deposition하는데 PVD에서는 DC Soruce sputtering을 이용해서 사용하는데
RF source sputtering을 하게되면 어떤 단점이 있고 장점이 있을까요?
아님 Ta material에 대한 제한이 있는것 일까요?
댓글 0
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [143] | 5835 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 17290 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 53125 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 64509 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 85122 |
518 | ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] | 914 |
517 | ESC Polymer cracking 제거를 위한 ISD 공정 문의 | 915 |
516 | [질문] Plasma 장비에 대한 Monitoring 질문 [2] | 926 |
515 | Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] | 927 |
514 | 플라즈마 입자 운동 원리(전자기장에서) [1] | 927 |
513 | 연속 plasma 방전시 RF power drop 및 Reflect 발생 [1] | 929 |
512 | low pressure 영역에서 아킹이 더 쉽게 발생하는 이유에 관해 문의드립니댜. [1] | 931 |
511 | PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [1] | 932 |
510 | Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] | 943 |
509 | RF 전압과 압력의 영향? [1] | 947 |
508 | 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [1] | 948 |
507 | 플라즈마 코팅 [1] | 968 |
506 | LF Power에의한 Ion Bombardment [2] | 970 |
505 | Group Delay 문의드립니다. [1] | 979 |
504 | PECVD와 RIE의 경계에 대해 [1] | 982 |
503 | 매칭시 Shunt와 Series 값 [1] | 992 |
502 | glow 방전 현상과 플라즈마 현상에 궁금하여 글 남깁니다. [2] | 997 |
501 | 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] | 998 |
500 | 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] | 1002 |
499 | Ar/O2 ICP 플라즈마 관하여 [1] | 1006 |