Monitoring Method charge effect에 대해
2019.03.20 11:10
안녕하세요
저는 SiO2 기판을 홀더 위에 두고 수소플라즈마를 띄워 실험을 진행하는데
이 기판이 부도체이다보니 기판에 전하가 빠져나가지 못하고 축적되는 것 같습니다.
이 기판의 charge effect를 챔버안 플라즈마를 띄운 상태에서 어떤 장비를 사용하여 실험적으로 어떻게 측정할 수 있는지 혹은 관련 논문이 있는지 알고싶습니다.
답변기다리고 있겠습니다. 감사합니다.
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] | 76712 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20168 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57164 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68691 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92265 |
| 588 | CCP에서 접지된 전극에 기판을 놓았을 때 반응 [1] | 971 |
| 587 | Tungsten 표면 Contamination 제거(실명재등록) [1] | 972 |
| 586 | Sticking coefficient 관련 질문입니다. [1] | 978 |
| 585 | anode sheath 질문드립니다. [1] | 982 |
| 584 |
CCP Plasma 해석 관련 문의
[1]  | 995 |
| 583 | 아래 382 번 질문에 대한 추가 질문 드립니다. [1] | 997 |
| 582 | 고진공 만드는방법. [1] | 1006 |
| 581 | Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] | 1006 |
| 580 | RF Antena와 Matcher 間 상관관계 문의드립니다. [1] | 1007 |
| 579 | 전자 온도에 대한 질문이 있습니다. [1] | 1011 |
| 578 |
langmuir probe관련하여 질문드리고 싶습니다.
[1] | 1015 |
| 577 | DC Magnetron Sputter 플라즈마 진단 [1] | 1021 |
| 576 | Plasma 에서 Coupled (결합) 의 의미 [1] | 1028 |
| 575 | 진학으로 고민이 있습니다. [2] | 1030 |
| 574 | 플라즈마 코팅 [1] | 1036 |
| 573 | DC Plasma 전자 방출 메커니즘 | 1037 |
| 572 | 리모트 플라스마 소스 AK 부품 수출 관련 질문 입니다 반도체 장비 부풉ㅁ | 1045 |
| 571 | Plasma Arching [1] | 1047 |
| 570 | Decoupled Plasma 관련 질문입니다. [1] | 1050 |
| 569 | etch defect 관련 질문드립니다 [1] | 1055 |
부도체 표면 전위를 측정하기는 쉽지 않습니다. 대부분 경우 capacitively coupled 시켜, 즉 기판 홀더의 전위를 측정해서 예측하며 실제 self bias 값을 예상합니다. 관련해서 self bias 즉, 전하가 축적되어서 생긴 표면 전위에 대해서 자료를 찾아 보시면 위의 질문을 좀 더 구체적으로 전개해 나갈 수가 있겠습니다. self bias 현상은 본 게시판에 여러번 설명한 바 있으니 참고하시기 바랍니다.