Plasma Source 고온의 플라즈마와 저온의 플라즈마의 차이
2019.03.25 18:08
온도의 차이 말고도 다른 차이가 있나요?
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] | 76543 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20078 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57116 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68615 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 91697 |
583 | CCP Plasma 해석 관련 문의 [1] | 974 |
582 | 아래 382 번 질문에 대한 추가 질문 드립니다. [1] | 982 |
581 | 전자 온도에 대한 질문이 있습니다. [1] | 999 |
580 | 고진공 만드는방법. [1] | 1001 |
579 | RF Antena와 Matcher 間 상관관계 문의드립니다. [1] | 1001 |
578 | DC Magnetron Sputter 플라즈마 진단 [1] | 1007 |
577 | langmuir probe관련하여 질문드리고 싶습니다. [1] | 1009 |
576 | Plasma 에서 Coupled (결합) 의 의미 [1] | 1018 |
575 | 진학으로 고민이 있습니다. [2] | 1025 |
574 | Plasma Arching [1] | 1025 |
573 | 전자밀도 크기에 대하여 질문드립니다. (Ar, O2, N2 가스) [1] | 1026 |
572 | etch defect 관련 질문드립니다 [1] | 1027 |
571 | DC Plasma 전자 방출 메커니즘 | 1028 |
570 | 플라즈마 코팅 [1] | 1032 |
569 | 리모트 플라스마 소스 AK 부품 수출 관련 질문 입니다 반도체 장비 부풉ㅁ | 1040 |
568 | Decoupled Plasma 관련 질문입니다. [1] | 1040 |
567 | HEATER 교체 이후 SELF BIAS 상승관련 문의 [1] | 1044 |
566 | RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] | 1045 |
565 | 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..? [2] | 1054 |
564 | 고전압 방전 전기장 내 측정 [1] | 1058 |
정의가 중요합니다. 고온과 저온은 우리가 생각하는 온도 범위와는 차이가 큽니다. 여기서는 주로 eV 에너지 단위를 사용해서 온도를 표시합니다. 일반적으로 온도는 플라즈마 전자의 온도로 가정해도 좋습니다.. 따라서 저온 플라즈마는 (<10eV) 정도의 전자의 열평형상태를 대표하는 온도이며, 이는 주로 산업용으로 쓰이는 플라즈마를 의미합니다. 전자에너지가 낮음은 플라즈마가 모두 이온화 되어 있지 않다는 의미이기 도하며, 이온화율을 1% 정도에서 10% 정도까지, 또는 그 미만으로 부분적으로 이온화된 상태 (partially ionization), 플라즈마 전자+이온+대부분의 중성입자 (라디털포함)으로 이뤄진 상태입니다. 반면 고온 플라즈마는 핵융합 플라즈마와 같이 전자 온도가 수십 keV를 넘는 플라즈마이며 이정도 온도를 가졌기에 대부분의 가스입자들이 완전히 이온화가 된 상태, fully ionization 상태를 의미하게 됩니다. 따라서 저온 플라즈마에서는 플라즈마의 물리적 특성과 함께 화학적 특성과 중성입자의 거동을 함께 고려해야 하며, 고온 플라즈마에서는 주로 물리적 특성과, 대부분이 자화된 상태로 구속되어 있으므로 자기장에서의 성질을 함께 고려해야 한다는 의미를 함축하고 있습니다.