Deposition Pecvd 장비 공정 질문
2018.12.17 22:52
.반도체회사에서 pecvd 담당하고 있는 초보인데요. 궁금한게 몇개 있어 물어보겠습니다.
1. pecvd 증착 후 wafer edge에 많은 defect을 해결하는 방법 (center는 깨끗함, edge에만 defect이 수없이 많음)
2. pecvd deposition 중 reflected power가 팅기는 현상으로 인해 두께가 낮아지거나 높아지는 현상이 있나요? 있다면 해결방법 알려주세요.
3. 한번 공정할때 wafer가 5장이 들어가는데 최대한 두께가 균일하게 증착할 방법이 있을까요?
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] | 76543 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20078 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57116 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68615 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 91697 |
583 | CCP Plasma 해석 관련 문의 [1] | 974 |
582 | 아래 382 번 질문에 대한 추가 질문 드립니다. [1] | 982 |
581 | 전자 온도에 대한 질문이 있습니다. [1] | 999 |
580 | 고진공 만드는방법. [1] | 1001 |
579 | RF Antena와 Matcher 間 상관관계 문의드립니다. [1] | 1001 |
578 | DC Magnetron Sputter 플라즈마 진단 [1] | 1007 |
577 | langmuir probe관련하여 질문드리고 싶습니다. [1] | 1009 |
576 | Plasma 에서 Coupled (결합) 의 의미 [1] | 1018 |
575 | 진학으로 고민이 있습니다. [2] | 1025 |
574 | Plasma Arching [1] | 1025 |
573 | 전자밀도 크기에 대하여 질문드립니다. (Ar, O2, N2 가스) [1] | 1026 |
572 | etch defect 관련 질문드립니다 [1] | 1027 |
571 | DC Plasma 전자 방출 메커니즘 | 1028 |
570 | 플라즈마 코팅 [1] | 1032 |
569 | Decoupled Plasma 관련 질문입니다. [1] | 1040 |
568 | 리모트 플라스마 소스 AK 부품 수출 관련 질문 입니다 반도체 장비 부풉ㅁ | 1041 |
567 | HEATER 교체 이후 SELF BIAS 상승관련 문의 [1] | 1044 |
566 | RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] | 1045 |
565 | 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..? [2] | 1054 |
564 | 고전압 방전 전기장 내 측정 [1] | 1058 |
자세한 상황을 알 수가 없으나 particle 이슈가 아닐까 합니다. 플라즈마 쪽에서는 dusty plasma라 하여 연구가 되는 분야이며, 이에 대해서는 최근 연구성과를 발표하고 있는 원자력 연구소의 채길병박사님께 문의하시면 좋을 정보를 얻을 수 있을 것 같습니다.
또한 박막 공정에서 벽면에서 발생되는 particle 제어는 장비 마다, 또한 공정 마다 다름으로 매우 제한적이니, 참고하시고 벽면의 세정과 해당 공정에서의 세정에 대한 정보를 수집해 가면서 최적 공정을 찾아 보시면 좋을 것 같습니다.