안녕하세요. 반도체회사 CVD 설비 담당 엔지니어입니다.

CVD설비 관리, 특히 RF계통 FDC 지수관리 관점에서 질문을 드리고자 합니다~


질문1)

chamber의 plasma 정보를 모니터링하고자 chamber와 matcher사이에 V,I,Phase를 검출하는 sensor를 사용중입니다.

보통 Voltage와 Current가 높아서 설비DOWN이 발생하는 경우에 V*I*Cos(Phase)를 계산해보면

하단표와 같이 V와 I는 높지만 Phase에 의해 결국 Delivery Power는 거의 동일합니다

 

 SLOT

 Voltage

 Current

Phase

Cos(Rad(Phase) 

Delivery Power 

 voltage high Down slot

100

  (높아서down) 

10 

  -79.7   

0.178802215 

178.8022151 

 정상 slot

 70

 9

-73.5

 0.284015345

178.9296672

   ( ↑ 임의의 수치들 )

 ≫ 제 생각에는 V,I 값는 높아도 결국 chamber로 전달되는 delivery power가 같다면 RF/CVD 품질에는 이상이 없을것으로

 추측되는데 해당 내용이 맞는건가요?? 아니면 V,I 수치가 달라지면 delivery power가 동일해도 CVD품질에 이상이 있을 수 있나요?


≫ 위와 같이 이런경우에는 V,I가 높지만 Phase는 낮아서 Delivery power는 동일한 값이 되는데,

  이는 voltage와 current가 높아졌지만 일정한 Power를 전달하기 위해 phase(reactance)를 변화하려 series(tune) capacitor가

  동작하는 것인가요??

  (series cap이 Impedance matching을 위해 chambe내 허수 임피던스 성분인 reactance를 제거하고

  이는 V,I간의 phase를 줄이는것과 동치라고 알고있습니다.)  




질문2)

Voltage가 높은값으로 설비 down을 유발하는 slot의 RF관련 타 파라미터를 모니터링 시 대체적으로

ⓛ voltage ↑

② current

③ Phase angle ↓

④ Resistance ↓

⑤ Shunt, Series ↑

이러한 양상을 보이고 있습니다.

RF Rrocess를 진행하면서 해당 현상의 전후관계 및 작용 순서를 알고 싶습니다.


예를들어

1. deposition 진행에 따른 Chamber의 오염발생

2. Chamber內 Resistance 감소 (chamber의 오염과 resistance 감소의 상관관계가 있나요..?)

3. Resistance 감소로 인한 voltage, current 상승

4. Resistance 값을 50Ω으로 맞추기 위해 shunt 상승

5. V,I가 상승했지만 Delivery power를 유지하기 위해 Phase변화 (Series 상승)

 ≫ 위에 적은것은 그냥 제가 추측한 내용이고

  RF를 진행하면서 위에 적은것처럼 RF소자들의 작용과 흐름을 알고 싶습니다..!



바쁘시겠지만 확인 후 답변부탁드립니다.

교수님 좋은 하루 되세요! ^^

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [128] 5601
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16880
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51347
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64210
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 84186
491 CCP 챔버 접지 질문드립니다. [1] file 1001
490 Langmuir probe의 위치에 관한 질문입니다. [3] 1004
489 EEDF, IEDF, Cross section관련 질문 [1] 1009
488 PECVD 증착에서 etching 관계 [1] 1015
487 [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [4] 1016
486 RF 케이블 발열 현상관련 문의 드립니다. 1022
485 RF 주파수와 공정 Chamber 크기의 상관관계 [1] 1025
484 자기 거울에 관하여 1030
483 CVD (CCP) 공정의 Chamber seasoning과 플라즈마 밀도 [1] 1039
482 플라즈마의 직진성에 관해 질문드립니다. [2] 1046
481 ICP Chamber Type의 Belljar Arcing관련 문의드립니다. [2] 1073
» CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] 1097
479 Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] 1098
478 ICP reflecot power 관련 질문드립니다. [1] 1099
477 플라즈마 기초입니다 [1] 1108
476 Pecvd 장비 공정 질문 [1] 1118
475 RF matcher와 particle 관계 [2] 1130
474 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] 1157
473 안녕하세요? 임피던스 매칭관련 질문드립니다. [1] 1158
472 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 1165

Boards


XE Login