안녕하세요. 반도체 장비회사에 근무하고 있는 직장인 입니다.


다름아니고 플라즈마에 대해 공부하다보니 교수님이 저자로 들어가 있는 논문을 보게 되었는데요.


제목에서와 같이 좁은 간격 CCP에서 플라즈마 분포에 관한 논문 이었습니다. 

(논문 제목 : 좁은 간격 CCP 전원의 전극과 측면 벽 사이 플라즈마 분포)


본문에서 Fig6 에 대한 해석을 보면 확산 영역에서 전달된 전력은 방전 영역에서의 전달 전력의 10%밖에 되지 않는데, 그럼에도 불구하고 확산영역의 플라즈마 밀도가 방전영역의 플라즈마 밀도보다 높게 나타났다고 되어 있습니다.


하지만 Fig2의 그래프를 보면 확산영역의 플라즈마 밀도는 증가했다가 감소하는 구간은 있어도 방전영역보다는 작았습니다. 물론 Fig2는 실제 실험 결과이고 Fig6은 전산모사를 통해 해석한 결과이기는 하나 그에 따른 차이라고 하기엔 너무 오차가 커 보여서 질문 드립니다.


그리고 플라즈마의 정 가운데가 전자 밀도 즉 플라즈마 밀도가 가장 높기 때문에 기체의 여기반응이나 이온화 반응 역시 중심부에서 가장 자주 일어날 것 같은데, 전극의 가장자리부분에서 더 많이 일어나는 원인이 무엇인지 잘 모르겠습니다.


항상 많은 도움 얻어갑니다. 감사합니다!

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76539
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91695
563 잔류시간 Residence Time에 대해 [1] 1062
562 Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다.. [3] 1063
561 Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] 1072
560 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [1] 1078
559 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [1] 1088
558 전자 온도 구하기 [1] file 1098
557 RF 반사파와 이물과의 관계 [1] 1099
556 MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] 1101
555 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 1107
554 PECVD Cleaning에서 Ar Gas의 역활 [1] 1113
553 반도체 관련 플라즈마 실험 [1] 1118
552 wafer bias [1] 1119
551 Plasma Ignition 시 Gas 사용에 대한 궁금증 요청드립니다. [1] 1119
550 RPSC 시 Pressure와 Throttle Valve Position의 관계 [1] file 1122
549 플라즈마 주파수 예측관련 질문드립니다 [1] 1122
548 자기 거울에 관하여 1130
547 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 1133
546 Group Delay 문의드립니다. [1] 1134
545 공정플라즈마 [1] 1136
544 Uniformity 관련하여 문의드립니다. [1] 1141

Boards


XE Login