Sputtering Ar fraction에 따른 Plasma 특성 질문입니다.
2012.01.12 15:29
안녕하세요?
플라즈마를 공부하고 있는 학생입니다. 질문이 있어서 이렇게 글을 남기게 되었습니다.
일반적으로 논문등을 살펴보게 되면 Ar fraction이 (예를들어 Ar(Cl2+Ar 혼합가스) 증가할 수록, Te(Electron Temperature)
값이 증가하는 경향이 나옵니다. (Ion Density 역시 증가합니다.)
실험을 하던 도중. Ar fraction이 증가할수록, Te값이 떨어지는 현상을 발견하였습니다.(하지만 Ion Density는 증가)
이를 어떻게 해석되어야 하는지 잘 모르겠습니다.
일반적으로라면 Ar이 이온화되면서 많은 gas reaction을 야기 하겠으나,
정형화된 data에 대하여 반대의 경향성이 나온 경우 어떻게 해석되어야 할까요?
추가적인 실험환경에 대한 설명을 덧붙여 드리자면,
(기존의 Chamber wall은 퀄츠 재질로 Ar fraction에 대하여 Te는 증가하였습니다. 하지만 Chamber를 Al 재질로 바꾼후
위와 같은현상이 발견되었습니다.)
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] | 76677 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20151 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57151 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68672 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92182 |
567 | 전자밀도 크기에 대하여 질문드립니다. (Ar, O2, N2 가스) [1] | 1054 |
566 | RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] | 1055 |
565 | 고전압 방전 전기장 내 측정 [1] | 1061 |
564 | Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다.. [3] | 1068 |
563 | 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..? [2] | 1072 |
562 | Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] | 1086 |
561 | 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [1] | 1098 |
560 | 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [1] | 1106 |
559 | RF 반사파와 이물과의 관계 [1] | 1111 |
558 | 잔류시간 Residence Time에 대해 [1] | 1112 |
557 | MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] | 1114 |
556 | Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] | 1118 |
555 | 전자 온도 구하기 [1] | 1123 |
554 | wafer bias [1] | 1127 |
553 | 플라즈마 주파수 예측관련 질문드립니다 [1] | 1130 |
552 | 자기 거울에 관하여 | 1136 |
551 | 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. | 1141 |
550 | Group Delay 문의드립니다. [1] | 1142 |
549 | 공정플라즈마 [1] | 1143 |
548 | O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 | 1152 |