Others O2 plasma etching 관련 질문이 있습니다.
2017.02.22 22:41
안녕하세요 서울대학교 박사과정 학생입니다.
실험을 설계하는중 플라즈마 공정에 관해서 모르는 점이 많아서 여쭤봅니다.
O2 Plasma etch공정에서 저희가 sample이 받는 Total 플라즈마 에너지 혹은 etch rate을 일정하게
유지하면서 Power를 바꿔보고싶습니다. 가스 flow rate 와 가스 종류, 시간은 바꾸지 않고 power와 pressure만 컨트롤 해서 유지가 가능할까요? 이렇게 할 경우에 Power가 바뀔시 Pressure가 어떤식으로 바껴야 Plasma energy를 가능한 일정하게 유지할 수있는지를 알수있는 식이나 상관관계가 있나요?
예를 들어서, power: 50W, 에서 100W로 두배 올릴때 압력은 어떤 변화를 가지게 되나요?
정확한 수치를 계산하는 목적이 아닌 대략적으로라도 실험을 일관성 있게 진행하려는 목적으로 질문을 드립니다.
답변 부탁드리겠습니다.
감사합니다.
댓글 1
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] | 76677 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20152 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57151 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68673 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92186 |
| 567 | RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] | 1055 |
| 566 | 전자밀도 크기에 대하여 질문드립니다. (Ar, O2, N2 가스) [1] | 1055 |
| 565 |
고전압 방전 전기장 내 측정
[1]  | 1061 |
| 564 | Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다.. [3] | 1068 |
| 563 | 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..? [2] | 1073 |
| 562 | Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] | 1086 |
| 561 | 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [1] | 1099 |
| 560 | 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [1] | 1106 |
| 559 | RF 반사파와 이물과의 관계 [1] | 1112 |
| 558 | 잔류시간 Residence Time에 대해 [1] | 1113 |
| 557 | MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] | 1114 |
| 556 | Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] | 1118 |
| 555 |
전자 온도 구하기
[1] | 1123 |
| 554 | wafer bias [1] | 1127 |
| 553 | 플라즈마 주파수 예측관련 질문드립니다 [1] | 1130 |
| 552 | 자기 거울에 관하여 | 1136 |
| 551 | 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. | 1141 |
| 550 | Group Delay 문의드립니다. [1] | 1143 |
| 549 | 공정플라즈마 [1] | 1144 |
| 548 |
O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의
| 1152 |