안녕하세요, 교수님.

CCP Plasma 를 이용해 SiH4 와 N2O gas 를 flow 시키면서 SiO2 막질을 형성하는 공정 진행중, Chamber wall 부분에서 특이점이 발생하여 문의드립니다.

Chamber 내부에 형성된 plasma 보다 밝기는 더 밝은 모양의 Parastic plasma 가 chamber wall 부분을 따라 계속해서 왔다 갔다 움직이는 현상입니다.

RF power 가 지나가는 path 의 component 연결상태를 다시 확인 후 다시 plasma 를 켰을때, parastic plasma 의 위치만 변했을 뿐, 현상은 동일합니다.

이와 같은 현상이 발생하는 원인이 무엇일까요? Chamber 내부 conditioning 이 덜 되어서 일지, 아님 실제로 RF power loss 가 Capacitively Coupled 된 두 기판 사이의 어디선가 발생하여 기인된  것일까요?

답변 부탁드립니다.

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [129] 5614
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16910
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51350
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64218
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 84239
472 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 1172
471 안녕하세요? 임피던스 매칭관련 질문드립니다. [1] 1173
470 전극에 따른 힘의 크기 질문드립니다. [1] file 1188
469 플라즈마 실험을 하고 싶은 한 고등학생입니다.... [1] 1190
468 CCP plasma에서 gap과 Pressure간의 상관관계 [1] 1190
467 O2 plasma etching 관련 질문이 있습니다. [1] 1193
466 DBDs 액츄에이터에 관한 질문입니다. [3] 1196
465 charge effect에 대해 [2] 1196
464 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 1200
463 rf chamber 내에 생기는 byproduct에 대한 질문 있습니다. [1] 1201
462 CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다. [3] 1201
461 dbd-플라즈마 질문있어욤!!!!! [1] file 1216
460 Impedence 위상관련 문의.. [1] 1216
459 Ar plasma power/time [1] 1220
» PECVD 공정 진행중 chamber wall 부분에서 보이는 plasma instability 관련 질문 드립니다. [1] 1220
457 데포 중 RF VDC DROP 현상 [1] 1222
456 플라즈마 내에서의 현상 [1] 1235
455 poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. file 1242
454 강의를 들을 수 없는건가요? [2] 1253
453 Ar과 O2 plasma source에 따른 ignition condition에 대하여 질문 있습니다. [1] 1255

Boards


XE Login