안녕하세요? 반도체 회사 연구원입니다.

 

반도체 Etching 공정관련 한 가지 궁금한 사항 문의드리고자 질문올립니다.

 

Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring 소재의 유전율과 체적저항이 챔버 내 Plasma 형성에 영향을 미치는지 궁금합니다.

(최근에는 CVD SiC Ring을 많이 활용하고 있습니다.)

 

예를들어, 유전상수와 체적저항이 ~할수록 Plasma가 생정되는 정도와 분포가 어떤식으로 변화할까요?

 

조금은 포괄적인 질문이라 답변이 어려울수도있겠습니다.

 

감사합니다. 교수님.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] 76677
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20151
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57151
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68672
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92182
567 전자밀도 크기에 대하여 질문드립니다. (Ar, O2, N2 가스) [1] 1054
566 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] 1055
565 고전압 방전 전기장 내 측정 [1] file 1061
564 Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다.. [3] 1068
563 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..? [2] 1072
562 Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] 1086
561 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [1] 1098
560 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [1] 1106
559 RF 반사파와 이물과의 관계 [1] 1111
558 잔류시간 Residence Time에 대해 [1] 1112
557 MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] 1114
556 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 1118
555 전자 온도 구하기 [1] file 1123
554 wafer bias [1] 1127
553 플라즈마 주파수 예측관련 질문드립니다 [1] 1130
552 자기 거울에 관하여 1136
551 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 1141
550 Group Delay 문의드립니다. [1] 1142
549 공정플라즈마 [1] 1143
548 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 1152

Boards


XE Login