ICP Ar/O2 ICP 플라즈마 관하여
2018.12.21 07:56
안녕하세요, dusty 플라즈마를 활용해서 나노소재를 만드는 연구를 하는 한 학생입니다.
플라즈마 electron density 를 증가하고자 CCP 에서 ICP 로 바꿔서 실험을 진행하고 있는데요,
Ar gas 만 흘럿을때는 매우 아름다운 ICP 효과를 얻을 수 있는데,
O2 gas 를 넣는 순간 ICP 효과가 사라집니다.
튜브 사이즈는 직경 2인치이고, power 는 200 W 정도 인가하였는데
매칭박스의 매칭이 잘 되지는 않습니다.
주로 CCP 만 사용하다가 ICP 를 사용하게 되어 매칭박스에 관해 지식이 짧은데,
혹시 ICP 를 사용할때는 이 모드에 맞게 매칭박스를 바꾸어야 하는지요?
감사합니다.
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] | 76727 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20184 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57167 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68699 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92278 |
549 | 공정플라즈마 [1] | 1145 |
548 | 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] | 1156 |
547 | O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 | 1156 |
546 | RPSC 시 Pressure와 Throttle Valve Position의 관계 [1] | 1156 |
545 | 대학원 진학 질문 있습니다. [2] | 1157 |
544 | 산소 플라즈마 처리 관하여 질문드립니다. [1] | 1162 |
543 | Uniformity 관련하여 문의드립니다. [1] | 1167 |
542 | PECVD Cleaning에서 Ar Gas의 역활 [1] | 1172 |
541 | Plasma Ignition 시 Gas 사용에 대한 궁금증 요청드립니다. [1] | 1175 |
540 | ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] | 1177 |
539 | 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] | 1183 |
538 | RF Generator 주파주에 따른 Mathcer Vrms 변화. [1] | 1191 |
537 | micro plasma에 사용되는 전력을 알고 싶습니다. [1] | 1220 |
536 | 반도체 관련 플라즈마 실험 [1] | 1223 |
535 | 플라즈마 형성시 하전입자의 밀도와 챔버에 관련해서 질문드립니다. [2] | 1226 |
534 | 플라즈마의 직진성에 관해 질문드립니다. [2] | 1237 |
533 | RF Power 인가 시 Gas Ramping Flow 이유 [1] | 1239 |
532 | 플라즈마 챔버 [2] | 1242 |
531 | Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] | 1243 |
530 | 임피던스 매칭 및 플라즈마 진단 [1] | 1270 |
ICP는 antenna를 통해 RF power가 전달되고, CCP는 마주보고 있는 electrode를 통해서 전달되지요. 전기적으로 보면 antenna는 inductor로 가정이 될 수 있고, 평판형 전극은 capacitor로 가정할 수가 있습니다. 따라서 matcher는 inductor의 load impedance 혹은 capacitor의 load impedance 차이가 됩니다. 두 임피던스의 특성은 RF에 대해서 반비례하는 성질을 갖고 있으니, matcher가 정합하는 기능이 차이가 생길 수 밖에 없겠지요. 대부분 matcher의 회로를 변경해서 사용하며, 상세한 내용은 Lieberman의 principles of plasma discharges and material processing 의 내용을 참고하시면 되겠습니다. 일부 정합기에 대한 설명은 본 계시판에도 수록이 되어 있으니 참고하세요.