ESC CVD CCP/ICP 사용간 Wafet Bias volt 줄어듬 현상 문의드려요

2017.09.21 20:04

평택말붕이 조회 수:1870

반도체 종사하고 직장인 입니다

상기건으로 네이버 백방으로 검색하다가  우연찬게 가입을하고

약 4시간 가량 정말좋은 자료들 시간가는 줄 모르고 보게 되었습니다

저희 회사 UBM Etch 장비가 process 상 변경된 factor 는 없구요

최근 챔버 웨이퍼 RF Chuck 바로 밑에 Al plate 원판을 신규 가공품을 사용했구요

용도는 플라즈마를 가둬두는 용도 정도로 알고있고요

현상이 이전까지는 웨이퍼 바이어스 전압이 -180~-200V 의 컨디션 이였는데

최근 바이어스 전압 형성이 -110~-130v현저히 떨어졌습니다

공정은 CCP 500w ICP400w Ar 45sccm 입니다

현재 문제 focus 를 Al plate 로 보고있는데요

바이어스 전압이 기존대비 떨어질수있는 원인이

웨이퍼와 직접적 contact 되어지는 RF Chuck 의 문제인지

챔버 오염과도 영향성은 있는거 같고요....

순간 컨디션이 변경되어 참 난감한 상황입니다

테스트를 ICP Power 를 낮추어주면 바이어스값은 증가가 되구요

웨이퍼표면의 전자량이 동일조건 기존대비 줄어들수 있는 인자가 궁금합니다



이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76727
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20184
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57167
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68699
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92278
549 공정플라즈마 [1] 1145
548 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] 1156
547 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 1156
546 RPSC 시 Pressure와 Throttle Valve Position의 관계 [1] file 1156
545 대학원 진학 질문 있습니다. [2] 1157
544 산소 플라즈마 처리 관하여 질문드립니다. [1] 1162
543 Uniformity 관련하여 문의드립니다. [1] 1167
542 PECVD Cleaning에서 Ar Gas의 역활 [1] 1172
541 Plasma Ignition 시 Gas 사용에 대한 궁금증 요청드립니다. [1] 1176
540 ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] 1178
539 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] 1183
538 RF Generator 주파주에 따른 Mathcer Vrms 변화. [1] 1191
537 micro plasma에 사용되는 전력을 알고 싶습니다. [1] 1220
536 반도체 관련 플라즈마 실험 [1] 1223
535 플라즈마 형성시 하전입자의 밀도와 챔버에 관련해서 질문드립니다. [2] 1226
534 플라즈마의 직진성에 관해 질문드립니다. [2] 1237
533 RF Power 인가 시 Gas Ramping Flow 이유 [1] 1239
532 플라즈마 챔버 [2] 1242
531 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 1243
530 임피던스 매칭 및 플라즈마 진단 [1] 1270
쓰기
태그

Boards

XE Login