Etch 에칭후 particle에서 발생하는 현상

2004.06.19 16:44

관리자 조회 수:9497 추천:225

Etching 후에 particle에 발생하는 현상은 매우 일반적입니다. 사용하는 gas와 대상 시편간의 화합물 형성 조건과 반응기의 형태등에 따라서 particle 발생과 처리는 매우 심각한 문제를 야기하기도 합니다. 또한 이 같은 현상은 반응기 내부 구조에 따라 매우 민감하고 개스 흐름과도 밀접한 연관이 있습니다. 반응기 내의 구조에 특히 민감합니다.
실험에서처럼 polymer가 형성되는 경우는 일반적으로 processing 사이에 산소 플라즈마를 사용하여 반응기를 cleaning하는 방법을 사용하는 것으로 알고 있습니다. 물론 이용하고 있겟지요. 또한 반응기 구조에 개스 흐름이 모이는 곳이 없도록 내부 설계를 조절할 필요가 있을 것입니다.
저희 실험실에서는 플라즈마내에 particle이 통과 하였을 경우 particle표면에
얼마나 많은 전하가 하전되는 가를 공부하고 있습니다. 그 결과는 표면적에 비례하여 하전량이 증가하는 것을 알 수 있고 이 표면 전하에 의한 전위는 process중에 전기력을 형성하여 반응기 표면에 흡착되던가 자신의 중력을 상쇄하여 플라즈마내에 부유하고 있을 수 있습니다. 하지만 플라즈마가 꺼지고 표면 전하가 사라지게 되면 균형을 이루던 힘이 깨지고, 즉 전기력을 손실하여 중력에 다른 particle의 자유 낙하가 시작될 것입니다. 이때 gas flow에 다라서 particl 이 배기 되지 못하면 남은 particle은 처리 시편에 떨어지게 됩니다. 이 같은 사항을 고려하여 반응기 내부 구조 설계와 배기 설계 등을 하시면 도움이 될 것 입니다

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76543
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20078
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57116
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68615
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91697
523 ICP-RIE etch에 관해서 여쭤볼것이 있습니다!! [1] 1293
522 Ashing 공정에 필요한 O2 plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [1] 1293
521 I-V characteristic에 관하여 질문이 있습니다. [1] 1296
520 CVD 막질의 성질에 대해 질문드립니다. [1] 1309
519 플라즈마 진단에서 rogowski 코일 관련 질문 드립니다. [1] 1317
518 CCP 챔버 접지 질문드립니다. [1] file 1318
517 Plasma Cleaning 관련 문의 [1] 1320
516 DBDs 액츄에이터에 관한 질문입니다. [3] 1322
515 OES 분석 관련해서 질문드립니다. [1] 1328
514 Plasma arcing 관련하여 문의드립니다. [1] 1332
513 low pressure 영역에서 아킹이 더 쉽게 발생하는 이유에 관해 문의드립니댜. [1] 1336
512 Langmuir probe의 위치에 관한 질문입니다. [3] 1338
511 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [1] 1352
510 [질문] Plasma 장비에 대한 Monitoring 질문 [2] 1363
509 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] 1365
508 플라즈마 내에서의 현상 [1] 1382
507 ESC Polymer cracking 제거를 위한 ISD 공정 문의 1384
506 플라즈마 관련 교육 [1] 1384
505 수방전 플라즈마 살균 관련...문의드립니다. [1] 1391
504 dbd-플라즈마 질문있어욤!!!!! [1] file 1395

Boards


XE Login