안녕하세요. 반도체 회사에 재직중인 신입ENG'R 입니다.

질문이 있어 찾아오게 되었습니다.

ETCH설비에서 특정 공정을 진행시키면 Step 중간에 TCP 및 BIAS REF 값이 튀는 현상이 발생하였고 

RF MATCHING 과정에 문제가 있다 판단되어 원인을 찾던 중 RF Generator와 MATCHER BOX 사이의 Coxial Cable

길이가 다름을 확인 할 수 있었습니다.

그리하여 교체 후 정상이 됨을 확인 할 수 있었지만 회사 선배님들은 STEP 중간에 REF 값이 흔들리는 경우가 드물다고 하며

원인을 모르겠다고합니다. 그 원인을 저에게 찾아오라고하네요 ^^;;; 도움이 필요합니다~!! 

 

1. Coxial cable 길이가 Impedence Matching에 영향을 주는건 알겠는데 왜 Etch step 초반에는 Ref값이 정상이다가

    Step 중간부터 흔들리고 튀는 현상이 발생하는가??

2. 만약 Coxial cable 문제라면 타 ETch 공정시에서는 영향을 주지않고 왜 특정 공정에서만 발생하는가?

    (즉, Coxial Cable의 길이가 ETCH공정에 어떠한 영향을 주는가??)   입니다.

 

저도 따로 공부를 하고있지만 더 정확한 지식을 얻고자 도움을 요청합니다~ ^^:;; 정말 감사합니다. 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [128] 5606
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16892
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51348
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64212
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 84191
411 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] 1614
410 유도결합 플라즈마 소스 질문!!!? [2] 1624
409 3 stub 정합에 대해 궁금합니다. [1] 1645
408 Etch 공정 Dummy 사용이유가 뭔지 알 수 있을까요? [1] 1654
407 교수님 안녕하세요, icp 관련 질문이 있습니다. [2] 1708
406 PRECOATING 공정에서 SHOWERHEAD <-> STAGE HEATER 간 GAP 과 DEPO 막질의 THK 와의 연관성.... [1] 1714
405 chamber impedance [1] 1720
404 13.56MHz resonator 해석 관련 문의 [1] 1756
403 플라즈마 self bias 값과 압력, 파워의 상관관계에 대해 질문이 있습니다. [1] 1770
402 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 1803
401 가입인사드립니다. [1] 1805
400 CCP에서 전극에 쌓이는 막질에 의한 Capacitance 변화가 궁금합니다 [1] 1812
399 plasma etching을 관련 문의드립니다. [1] 1827
398 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 1830
397 Matcher의 Load/Tune Position 거동에 관해 질문이 있습니다. [2] 1843
396 RPS를 이용한 SIO2 에칭 [1] 1845
395 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 1881
394 Si Wafer Broken [2] 1909
393 플라즈마볼 제작시 [1] file 1932
392 matcher, ESC, Heater에 대해 질문 드립니다. [3] 1948

Boards


XE Login