Monitoring Method Wafer particle 성분 분석
2019.03.26 06:46
안녕하세요.
반도체업계 종사자인 이우림이라고 합니다
다름이 아니라 300mm wafer위에 파티클 오염 분석을 진행중인데요.
혹시 300mm wafer를 coupon이 아닌 full wafer 상태로 삽입하여 wafer위의 파티클 성분 분석이 가능한 장비를 보유한 연구소를 알고 계신지요?
향후 분석에 꼭 필요한데 해당 장비 보유한 연구소를 찾지 못하는 상황입니다.
혹은 장비 관련 정보라도 알려주시면 감사하겠습니다.
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] | 76539 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20076 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57115 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68613 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 91695 |
503 | poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. | 1399 |
502 | ICP lower power 와 RF bias [1] | 1402 |
501 | N2 / N2O Gas 사용시 Plamsa 차이점 [1] | 1411 |
500 | O2 plasma etching 관련 질문이 있습니다. [1] | 1413 |
499 | Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] | 1417 |
498 | MATCHER 발열 문제 [3] | 1425 |
497 | PECVD와 RIE의 경계에 대해 [1] | 1426 |
496 | Ar plasma power/time [1] | 1429 |
495 | PECVD 공정 진행중 chamber wall 부분에서 보이는 plasma instability 관련 질문 드립니다. [1] | 1437 |
494 | 알고싶습니다 [1] | 1438 |
493 | 강의를 들을 수 없는건가요? [2] | 1442 |
492 | RF 케이블 발열 현상관련 문의 드립니다. | 1445 |
491 | Plasma 발생영역에 관한 질문 [2] | 1448 |
490 | rf chamber 내에 생기는 byproduct에 대한 질문 있습니다. [1] | 1449 |
489 | 연속 plasma 방전시 RF power drop 및 Reflect 발생 [1] | 1450 |
488 | 플라즈마 rotational temperature에 관해서 질문드릴게 있습니다. [1] | 1452 |
487 | charge effect에 대해 [2] | 1454 |
486 | Impedence 위상관련 문의.. [1] | 1456 |
485 | plasma 형성 관계 [1] | 1464 |
484 | PECVD 증착에서 etching 관계 [1] | 1471 |
세정쪽입니다. 서울대 화공과 김재정교수님, 혹은 한양대 재료화학공학과 박진구교수님께서 답변을 주실 것 같습니다.