두분의 논의에 다음 사항을 같이 고려하면 좋을 것 같습니다. 같이 읽어 보시기 바랍니다. 

RF 문제를 볼 떄 우리는 impedance (Z)를 이용합니다. Z= resistance (R)과  reactance (X)로 구성되어 있고 이를 복소계로 표현하면 Z=TR+jX의 형태가 됩니다. 여기서 reactance X는 RF가 전파하는데 있어 저항하는 성분으로 Capacitor 성분이 만드는 wC 값과 Inductor 성분이 만드는 wL 이 있으며 두개의 위상차는 180도가 됩니다. 따라서 일반적으로 Z=R+1/jwC 혹은 Z=1+jwL 이라 하며 여기서 w는 전력 주파수입니다. 만일 저항만 있다면 rf V와 I는 phase 차이가 없는 값이 되는 경우이며, V와 I 의 위상차가 90도 빠르거나 늦다면 이는 모두 reactance 로 RF가 걸리고 있다는 뜻이 됩니다. 일정 값이 있다는 말은 해당 load가 R과 C 혹은 L 또는 C,L 병합의 임피던스 특성이 되고, 일정 값을 가지고 있다면 유사한 공정 조건이 유지되고 있다고 판단할 수 있는 것입니다. 

RF 가 match 되었다는 말은 인가 전력이 모두 플라즈마 가열로서 match가 되었다는 말로서, (전력의 파동이 반사파 없이 전달되었다고도 표현됩니다) 입력 전력이 우리가 원하는 이용 대상은 플라즈마 입자, 즉 플라즈마 전자나 이온이므로 이를 생성시키는 에너지로 전달되는 정도를 의미한다고 할 수 있습니다. 전하들의 흐름은 저항성분R을 가지고 흐릅니다. 다만 입자들이 충돌 등으로 전하의 흐름에 위상 변화가 생기면 전류 흐름에 위상 차이가 생기고 이를 L 성분으로 표현하게 됩니다. 또한 플라즈마 내에서는 쉬스가 생겨서 시편으로 전달되게 되는데, 쉬스는 전자 전하가 희박한 공간으로 우리는 C 성분으로 표현할 수가 있겠고, 따라서 플라즈마 챔버 내에는 R과 C/L이 섞여 있습니다. 바이어스를 키우면 C가 당연히 커지겠고, 전력을 높이면 충돌이 커지면서 R이 커지고 플라즈마가 에너지를 잘 흡수한다고 할 수 있습니다. 또한 L 도 같이 커지지요. 

여기서 RF match가 일반 전력 소자 ( 단순 저항체와 작은 크기의 L과 C가 있는 전기 소자들)과 플라즈마는 자체적으로 R,L,C 즉 플라즈마 임피던스의 변화가 능동적입니다. 따라서 전력을 키우면 앞선 설명에서와 같이 플라즈마 임피던스는 변하게 되므로 이를 보상해서 총 값을 50ohm 으로 맞추려는 기구가 필요하게 됩니다. matcher가 그 역할을 하므로, 50ohm 임피던스 매치란 matcher와 플라즈마를 포함한 전체 부하 값 (전원이 보는 부하)이 50ohm이 되는 조건을 의미합니다. 따라서 일반적으로 matcher는 V/I/Phase 를 측정하는데, 위치는 전원과 matcher 사이 값을 측정하는 이유입니다. 

이를 기반으로 장치 플라즈마 특성을 고려해 보면, 이들 특성은 반응기내 플라즈마 생성 성질과도 연결됩니다. CCP 플라즈마는 주로 전극 상의 쉬스에서 전자가열이 됩니다. C 성분이 주요 반응기 플라즈마의 대표 성분이 됩니다. ICP 플라즈마는 전자기파의 skin depth 내의 전자들이 안테나 전류 방향을 따라서 가열되니 전자 전류 loop가 형성되어 L 이 대표 성분이 됩니다. 이는 장치 플라즈마의 특성이라 할 수 있습니다.  따라서 CCP 용 matcher에서 reactance 항을 상쇄해서 전원에서 50ohm으로 맞추려면 (반사파가 없어지게 되고) 장치 플라즈마의 주된 리액턴스 성분이 C 이므로 반대 위상을 갖는 L 성분이 matcher 내에 존재하면 효율적이고, ICP의 경우에는 L이 장치 플라즈마의 주된 리액터스 성분이니 matcher 내에는 C 성분이 부하의 리액턴스 성분을 상쇄시키게 구성되어 있습니다. 대부분 직렬과 병렬 구조를 조합해서 리액턴스 성분들을 보다 효율적으로 L type 혹은 inverse L type의 매처를 사용하는 이유이기도 합니다. 이제 남아 있는 플라즈마의 R 성분과 mater의 R 성분이 50ohm과 맞추어져 있을 경우, 반사파가 거의 없이 전력이 전달되는 모습을 볼 수 있습니다. 따라서 matcher의 R 성분을 알 수 있다면 50-R로 부터 플라즈마에서의 R 성분을 알 수 있겠고, 혹시 matcher의 임피던스 성분을 알 수 있다면 역시 플라즈마의 임피던스 성분을 알 수 있게 됩니다. 이들 두 조건을 이용한다면 플라즈마의 상태의 변화를 모니터링 할 수가 있을 것 같습니다. 연구가 필요하겠습니다. 

이 개념을 활용하여 모니터링 하는 방법으로 VI sensor를 이용하는 방법이 있습니다. 일반적으로 VI sensor가 놓이는 위치는  2가지 방법이 있는데, 전원의 50ohm 제어를 위한 위치 (일반적인 matcher의 전원 제어용도)와 장비 플라즈마 특성을 진단하기 위한 위치로 나누어 집니다. 즉 전원-매처 후 VI 센서와 전극 (안테나 혹은 wafer bias ESC 등)으로 위치가 다릅니다. 이를 공정 센서라 하면 후자를 의미하며, VI센서는 공정상태 및 공정 플라즈마를 모니터링 하는 역할을 하게 됩니다. 따라서 센서 값으로 평가하는 방법과 매처를 포함한 전압/전류/phase의 특성은 매우 다를 수 밖에 없습니다. 앞에서 설명한 바와 같이 phase  값으로 공정 플라즈마의 다양한 정보를 찾을 수가 있습니다. 다만 이 경우 플라즈마를 전체가 균질하다 가정하므로, 국부적으로 변하는 값에 대한 정보를 취득하기는 매우 어려울 수가 있음은 참고할 필요가 있겠습니다. 따라서 공정의 유지에 전압/전류/위상 (전원-매처가 아니, 매처-안테나 사이 값) 및 C1과 C2의 값을 기록하는 것은 매우 중요하고. 미세한 변화를 모니터링 할 수 있는 방법을 찾아 자료롤 log 하시면서 공정을 진행하는 방법을 강력히 추천합니다. 

앞의 답글과 함께 읽어 보시면 matcher 기능에 대해서 좀 더 다양한 시각을 가지실 수 있을 것으로 기대합니다.