안녕하세요. 반도체 회사에 근무 중인 김동조입니다.

소자제작 공정중 O2 플라즈마를 이용하여 표면을 처리하는 부분이 있습니다.

공정 조건은 300w, 300sccm 0.04mbar 이며 친수성을 위한 표면 처리를 하고 있습니다.

제가 궁금한 사항은 일반 상온에서의 표면의 플라즈마 효과가 어느정도 지속이 되는 것인가와,

플라즈마 처리를 한 상태에서 오븐에서 120도 12시간 열처리를 하였을 경우 플라즈마의 효과가 유효한 것인지 궁금합니다.

플라즈마에 관한건 이론적으로만 간단히 알고있었을뿐 회사에 들어오고 처음 사용해 보는 것이라 감이 잘 잡히지 않습니다.

번거로우시겠지만 답변 부탁드립니다.!! 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] 76692
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20152
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57159
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68680
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92218
487 charge effect에 대해 [2] 1463
486 연속 plasma 방전시 RF power drop 및 Reflect 발생 [1] 1477
485 PECVD 증착에서 etching 관계 [1] 1489
484 glow 방전 현상과 플라즈마 현상에 궁금하여 글 남깁니다. [2] 1502
483 Matcher 구성에 따른 챔버 임피던스 영향에 대해 문의드립니다. [1] 1502
482 plasma 형성 관계 [1] 1503
481 IMPEDANCE MATCHING PATH에서 S/H ~ MATCHER 간 전력전송 방법들에 대해 문의드립니다. [2] 1507
480 데포 중 RF VDC DROP 현상 [1] 1533
479 O2 플라즈마 클리닝 관련 질문 [1] 1559
478 ICP reflecot power 관련 질문드립니다. [1] 1594
477 전극에 따른 힘의 크기 질문드립니다. [1] file 1596
476 standing wave effect에 대한 질문이 있습니다. [1] 1602
475 CCP에서 전자밀도증가 -> 임피던스 감소 과정 질문있습니다. [3] 1604
474 EEDF, IEDF, Cross section관련 질문 [1] 1641
473 Pecvd 장비 공정 질문 [1] 1658
472 Ar/O2 ICP 플라즈마 관하여 [1] 1660
471 안녕하세요 교수님. ICP관련하여 문의드립니다. [1] 1666
470 RF 전압과 압력의 영향? [1] 1670
469 다중 주파수를 이용한 플라즈마 식각에서 이온 에너지 제어 관련 [1] 1682
468 CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다. [3] 1686

Boards


XE Login