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[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
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Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
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개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
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kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
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Edge ring과 플라즈마 밀도 균일성 [플라즈마 생성 분포와 sheath 전기장]
[1] | 1943 |
461 |
wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [ER과 self bias]
[1] | 1947 |
460 |
ICP 내부 기체 비율에 따른 spectrum intensity 변화 [Excitation transfer 반응과 방사천이율]
[1] | 1947 |
459 |
N2 Blowing Ionizer 사용 시 궁금점 질문 드립니다. [N2 Ionizer 이온 및 중성 입자 해석]
[1] | 1965 |
458 |
유도결합 플라즈마 소스 질문!!!? [전기장 내 입자 거동]
[2] | 1965 |
457 |
3 stub 정합에 대해 궁금합니다. [Wave guide 및 matcher position 변화]
[1] | 1994 |
456 |
RF FREUNCY와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [CCP와 ionization]
[1] | 2011 |
455 |
13.56MHz resonator 해석 관련 문의 [Resonator의 matching]
[1] | 2015 |
454 |
RF PLASMA를 사용한 J.R ESC DECHUCK에 대하여 문의드립니다. [Ionization과 chucking]
[1] | 2015 |
453 |
쉬스(sheath)에서 전자와 이온의 감소 관련하여 질문 [Floating sheath]
[1] | 2050 |
452 |
플라즈마 띄울때..ㅠㅠ!!? [Breakdown voltage 및 이온화 에너지]
[1] | 2062 |
451 |
잔류가스분석기(RGA)에 관하여 질문드립니다. [군산대학교 주정훈 교수님]
[1] | 2073 |
450 |
chamber impedance [장비 임피던스 데이터]
[1] | 2080 |
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RF generator 관련 문의드립니다 [Matcher와 line damage]
[3] | 2087 |
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매칭시 Shunt와 Series 값 [RF 전원 전력 전달 및 Load/Tune 계산]
[1] | 2099 |
447 |
ICP power와 ion energy사이의 관계에 대해서 문의드립니다. [Ion energy와 heat, sheath energy]
[2] | 2118 |
446 |
Remote Plasma가 가능한 이온 [Remote plasma와 diffusion]
[1] | 2123 |
445 |
안녕하세요 ICP dry etching 관련 질문사항드립니다! [N2 플라즈마]
[1] | 2127 |
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플라즈마 에칭과 표면처리의 차이점 질문드립니다. [Cleaning, sputter etching, RIE]
[1] | 2128 |
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플라즈마 입자 운동 원리(전자기장에서) [Lorentz force와 magnetic confinement]
[1] | 2137 |
정의가 중요합니다. 고온과 저온은 우리가 생각하는 온도 범위와는 차이가 큽니다. 여기서는 주로 eV 에너지 단위를 사용해서 온도를 표시합니다. 일반적으로 온도는 플라즈마 전자의 온도로 가정해도 좋습니다.. 따라서 저온 플라즈마는 (<10eV) 정도의 전자의 열평형상태를 대표하는 온도이며, 이는 주로 산업용으로 쓰이는 플라즈마를 의미합니다. 전자에너지가 낮음은 플라즈마가 모두 이온화 되어 있지 않다는 의미이기 도하며, 이온화율을 1% 정도에서 10% 정도까지, 또는 그 미만으로 부분적으로 이온화된 상태 (partially ionization), 플라즈마 전자+이온+대부분의 중성입자 (라디털포함)으로 이뤄진 상태입니다. 반면 고온 플라즈마는 핵융합 플라즈마와 같이 전자 온도가 수십 keV를 넘는 플라즈마이며 이정도 온도를 가졌기에 대부분의 가스입자들이 완전히 이온화가 된 상태, fully ionization 상태를 의미하게 됩니다. 따라서 저온 플라즈마에서는 플라즈마의 물리적 특성과 함께 화학적 특성과 중성입자의 거동을 함께 고려해야 하며, 고온 플라즈마에서는 주로 물리적 특성과, 대부분이 자화된 상태로 구속되어 있으므로 자기장에서의 성질을 함께 고려해야 한다는 의미를 함축하고 있습니다.