플라즈마 기초부분에서 에너지 분포와 이온화에 대한 질문입니다.
전자온도와 이온화 에너지가 주어져 있을때 에너지 분포(EEDF)를 이용한다면 전자의 약 %가 이온화에 기여하는지 어떻게 알 수 있는지요?
<구체적인 식이 궁금합니다. 예를 들어 전자온도가 3V , 이온화에너지가 약 15V라 한다면)
일정한 부피에 전자의 갯수가 정해져있을때 온도의 단위가 V(볼트)로 주어진다면 운동에너지를 어떻게 구할 수 있을까요?
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] | 76713 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20170 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57164 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68695 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92270 |
| 81 | 문의 드립니다. [1] | 867 |
| 80 | Shield 및 housing은 ground 와 floating 중 어떤게 더 좋은지요 [2] | 947 |
| 79 | O2 Plasma 에칭 실험이요 [1] | 957 |
| 78 | 진학으로 고민이 있습니다. [2] | 1030 |
| 77 | 잔류시간 Residence Time에 대해 [1] | 1116 |
| 76 | 플라즈마 주파수 예측관련 질문드립니다 [1] | 1132 |
| 75 | Group Delay 문의드립니다. [1] | 1144 |
| 74 | RF Power 인가 시 Gas Ramping Flow 이유 [1] | 1239 |
| 73 | 플라즈마에서 가속 전압 또는 RF 파워 관련 질문드려요. [1] | 1286 |
| 72 | 플라즈마 내에서의 현상 [1] | 1388 |
| 71 | 플라즈마 관련 교육 [1] | 1405 |
| 70 | O2 plasma etching 관련 질문이 있습니다. [1] | 1423 |
| 69 | 강의를 들을 수 없는건가요? [2] | 1444 |
| 68 | O2 플라즈마 클리닝 관련 질문 [1] | 1561 |
| » | 질문있습니다. [1] | 2570 |
| 66 | Bias 관련 질문 드립니다. [1] | 3411 |
| 65 | Gas 별 Plasma 색 관련 질문입니다. [1] | 3442 |
| 64 | 진공장치 챔버내 산소 또는 수분 제거 방법에 대해 [1] | 3746 |
| 63 | ICP plasma에서 RF bias에 대한 문의가 있습니다 [2] | 3953 |
| 62 | RF chamber에서.. particle(부유물) 와 RF reflect power연관성 [1] | 4175 |
전자의 에너지 분포함수를 Maxwell 분포로 가정하고 계산을 시작해 보세요. 에너지 함수로 변경하면 편리하며, 적분 구간을 이온화 에너지 부터 무한대 에너지까지로 적분해서 얻어지는 값이 이온화에 참여할 수 있는 전자 비율이 될 것입니다. 여기에 플라즈마 밀도와 플라즈마 부피를 곱하면 갯수가 되겠습니다. (전자 분포식은 모든 교재에서 쉽게 찾을 수 있겠습니다.)
만일 이들 전자들의 평균 운동에너지는 열에너지의 root 값으로 가늠해도 크게 무리가 없습니다. 즉 v_th = sqrt (Te/전자질량).
여기서 한 걸음 나가 보면, 일반적으로 공정 플라즈마에서는 Maxwell 분포를 벗어나는 경우가 많으면 이온화 에너지가 13eV 이상이므로
이 에너지 이상의 전자 수는 확률적으로 보면 매우 낮습니다. 이 영역의 전자 (이름하여 분포의 끝자락에 놓인 전자, 즉 tail 전자라 부르거나 high energy electron들이라 불림)의 미세한 변화가 플라즈마 밀도를 바꾸게 되고, 공정의 변화가 유발되기도 합니다. 따라서 공정 플라즈마에 관심이 있으면 이 tail의 변동에 주목해야 합니다.