Etch Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련.
2018.05.10 13:56
안녕하세요. 디스플레이에 종사하는 설비엔지니어입니다.
현재 PE모드 Etch공정에서 Vpp가 평균값 대비 1000V 정도 떨어지는 현상이 있는데요.
NF3 Gas 변경후 챔버 Vent처리했다가 다시 진공상태 공정진행시 Vpp가 떨어집니다.
Power,압력,온도의 차이는 없고, SF6→NF3 Gas변경했는데... Vpp 변동과 어떤 연관성이 있을지 궁금합니다.
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제 생각에는 SF6에서 보다 NF3 플라즈마의 전자온도가 높아서 생기는 현상으로 보입니다. 즉 NF3는 SF6 보다 F 해리를 많이 하는데, 이는 음이온, 즉 전자친화력이 큰 F이 플라즈마내에서 낮은 에너지로 움직이는 전자들과 잘 결합을 하여, 음이온 (이온이나 음극을 갖는 이온)을 많이 생성합니다. 이는 플라즈마 전자의 온도를 상대적으로 높이는 효과를 가져오고 높은 에너지의 전자들이 벽으로 빠져나가는 만큼의 이온의 에너지도 커져야 하므로, 쉬스 전위는 커지게 됩니다. 즉 Vdc의 값이 떨어지는 결과가 나오는 이유는 전자의 에너지가가 커졌을 이유가 있고, 운전 가스는 이 변화에 직접적인 원인을 제공하였다고 볼 수 있겠습니다. 이상의 개념은 공정에서 rf bias 즉 self bias 에 대한 이해로 부터 전개한 내용이니 self bias 형성 과정에 대해서 관심을 가져 보시기 바랍니다.