Etch Plasma 식각 test 관련 문의
2021.12.13 16:57
안녕하세요.
플라즈마 식각 중량변화 테스트를 O2가스와 NF3,AR(3:1) 비중으로 60분동안 200W전력 조건으로
제품은 불소고무 O-RING 입니다.
할 수 있는곳이 있을까요??
도움 부탁드리겠습니다..
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] | 76539 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20076 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57115 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68613 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 91695 |
47 | Sticking coefficient 관련 질문입니다. [1] | 951 |
46 | Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] | 965 |
45 | etch defect 관련 질문드립니다 [1] | 1026 |
44 | RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] | 1045 |
43 | Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] | 1107 |
42 | 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. | 1133 |
41 | O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 | 1146 |
40 | 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] | 1173 |
39 | Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] | 1234 |
38 | 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] | 1267 |
37 | Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] | 1365 |
36 | poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. | 1399 |
35 | 터보펌프 에러관련 [1] | 1737 |
34 | wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] | 1770 |
33 | 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] | 1878 |
32 | Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] | 1893 |
31 | 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] | 1946 |
30 | doping type에 따른 ER 차이 [1] | 2038 |
29 | Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] | 2228 |
28 | etching에 관한 질문입니다. [1] | 2243 |
플라즈마 데이터를 기반으로 처리 결과를 자료화 해야 할 것 같습니다.
일반 연구실 보다는 표준연에서 가능할지 모르겠네요. 표준연 이효창박사님 연구실 또는 핵융합연구소의 장비 지능화 연구센터 (윤정식박사) 팀에 문의해 보시면 어떨까 합니다.