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430 Etch 공정(PE mode) Vpp 변동 관련. [Self bias 형성 과정과 전자의 에너지] [1] 2793
429 CCP에서 전극에 쌓이는 막질에 의한 Capacitance 변화가 궁금합니다. [플라즈마 특성변화와 SH impedance 변화] [1] 2793
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425 doping type에 따른 ER 차이 [MD 시뮬레이션 연구] [1] 2826
424 산소 양이온의 금속 전극 충돌 현상 [플라즈마 표면 반응] [1] 2840
423 임피던스 실수부에 대해 궁금한 점이 있습니다. [플라즈마 dielectric property] [4] 2858
422 Dry etch 할 때 센터와 사이드 etch rate [Plasma diffusion과 distribution] [1] 2863
421 CCP plasma에서 gap과 Pressure간의 상관관계 [Paschen's Law, P-d 방전 곡선] [1] 2865
420 Etch 공정 Dummy 사용이유가 뭔지 알 수 있을까요? [ESC coating와 dummy load] [1] 2870
419 RF PLASMA를 사용한 J.R ESC DECHUCK에 대하여 문의드립니다. [Ionization과 chucking] [1] 2888
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417 PRECOATING 공정에서 SHOWERHEAT <-> STAGE HEATER 간 GAP과 DEPO 막질의 THK와의 연관성…. [Plasma property와 process control] [1] 2894
416 플라즈마 입자 운동 원리(전자기장에서) [Lorentz force와 magnetic confinement] [1] 2899

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