안녕하세요. 반도체 회사에 재직중인 신입ENG'R 입니다.

질문이 있어 찾아오게 되었습니다.

ETCH설비에서 특정 공정을 진행시키면 Step 중간에 TCP 및 BIAS REF 값이 튀는 현상이 발생하였고 

RF MATCHING 과정에 문제가 있다 판단되어 원인을 찾던 중 RF Generator와 MATCHER BOX 사이의 Coxial Cable

길이가 다름을 확인 할 수 있었습니다.

그리하여 교체 후 정상이 됨을 확인 할 수 있었지만 회사 선배님들은 STEP 중간에 REF 값이 흔들리는 경우가 드물다고 하며

원인을 모르겠다고합니다. 그 원인을 저에게 찾아오라고하네요 ^^;;; 도움이 필요합니다~!! 

 

1. Coxial cable 길이가 Impedence Matching에 영향을 주는건 알겠는데 왜 Etch step 초반에는 Ref값이 정상이다가

    Step 중간부터 흔들리고 튀는 현상이 발생하는가??

2. 만약 Coxial cable 문제라면 타 ETch 공정시에서는 영향을 주지않고 왜 특정 공정에서만 발생하는가?

    (즉, Coxial Cable의 길이가 ETCH공정에 어떠한 영향을 주는가??)   입니다.

 

저도 따로 공부를 하고있지만 더 정확한 지식을 얻고자 도움을 요청합니다~ ^^:;; 정말 감사합니다. 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76714
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20170
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57164
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68695
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92273
388 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 2740
387 PE 모드와 RIE 모드에서 쉬스 구역에 대한 질문 [1] 2764
386 고온의 플라즈마와 저온의 플라즈마의 차이 [1] 2777
385 임피던스 매칭회로 [1] file 2804
384 Edge ring 없이 ESC를 구현 가능한지 궁금해서 여쭤봅니다. [2] 2816
383 VI sensor를 활용한 진단 방법 [2] 2870
382 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2872
381 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] 2890
380 RF matcher와 particle 관계 [2] 2915
379 Plasma etcher particle 원인 [1] 2963
378 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 2966
377 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] 3052
376 CVD 공정에서의 self bias [1] 3095
375 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] 3162
374 아르곤이나 기타 플라즈마 토치에 소량의 수증기를 집어넣으면 온도가 떨어지는 현상에 대해서 3165
373 matcher, ESC, Heater에 대해 질문 드립니다. [3] 3178
372 Matcher의 Load/Tune Position 거동에 관해 질문이 있습니다. [2] 3191
371 electron energy distribution에 대해서 질문드립니다. [2] 3202
370 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 3271
369 RF Power와 균일도 연관성 질문드립니다. [2] 3292

Boards


XE Login