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공지 |
[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
[337]
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공지 |
Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
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공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
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공지 |
kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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공지 |
질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
[3]
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376 |
electron energy distribution에 대해서 질문드립니다. [Maxwallian EEDF]
[2] | 3938 |
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375 |
Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련 [Sheath 전위 형성]
[3] | 4109 |
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374 |
ESC Cooling gas 관련 [ESC 온도 제어]
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373 |
the lines of magnetic induction are frozen into the perfectly conducting material에 대한 질문 [Ideal MHD plasma의 magnetic flux conservation]
[1]  | 4131 |
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372 |
RF plasma 증착 시 arcing 관련하여 질문드립니다. [Arc와 cleaning]
[1] | 4202 |
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371 |
RF matcher와 particle 관계 [DC glow 방전, 플라즈마 임피던스]
[2] | 4218 |
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370 |
Bias 관련 질문 드립니다. [Ion plasma frequency]
[1] | 4271 |
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369 |
DC스퍼터링과 RF 스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [플라즈마 생성과 Sputtering]
[2] | 4344 |
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368 |
CVD 공정에서의 self bias [이차 전자 생성, 입사 이온 에너지 분포]
[1] | 4363 |
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367 |
CCP 구조가 ICP 구조보다 Arcing 발생에 더 취약한가요? [Breakdown 전기장, 아크 방전]
[3] | 4383 |
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366 |
Vpp, Vdc 측정관련 문의 [Self bias와 DC offset]
[1] | 4388 |
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365 |
dry etching중 온도, 진공도, glass상태에 따라 chucking force가 변화하는지요? [표면 하전 특성 및 chucking 불안정성]
[1] | 4389 |
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364 |
Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [Standing wave 및 플라즈마 밀도 분포]
[1] | 4396 |
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363 |
ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [Etch와 IEDF]
[2] | 4404 |
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362 |
RF Power와 균일도 연관성 질문드립니다 [고주파 플라즈마 반응 특성]
[2] | 4439 |
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361 |
Descum 관련 문의 사항. [라디컬 및 이온 생성과 플라즈마 생성 메커니즘]
[1] | 4505 |
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360 |
Plasma 식각 test 관련 문의 [플라즈마 데이터 처리]
[1] | 4512 |
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359 |
PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [하전에 의한 전기장 형성 및 방전 시간]
[1] | 4532 |
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358 |
Gas 별 Plasma 색 관련 질문입니다. [Gas별 고유한 플라즈마 색]
[1] | 4564 |
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357 |
플라즈마 임피던스와 Vpp가 관련이 있나요? [플라즈마 주파수와 Vpp, sheath]
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