안녕하세요?

플라즈마를 공부하고 있는 학생입니다. 질문이 있어서 이렇게 글을 남기게 되었습니다.

일반적으로 논문등을 살펴보게 되면 Ar fraction이 (예를들어 Ar(Cl2+Ar 혼합가스) 증가할 수록, Te(Electron Temperature)

값이 증가하는 경향이 나옵니다. (Ion Density 역시 증가합니다.)

실험을 하던 도중. Ar fraction이 증가할수록, Te값이 떨어지는 현상을 발견하였습니다.(하지만 Ion Density는 증가)

이를 어떻게 해석되어야 하는지 잘 모르겠습니다.

일반적으로라면 Ar이 이온화되면서 많은 gas reaction을 야기 하겠으나,

정형화된 data에 대하여 반대의 경향성이 나온 경우 어떻게 해석되어야 할까요?

 

추가적인 실험환경에 대한 설명을 덧붙여 드리자면,

(기존의 Chamber wall은 퀄츠 재질로 Ar fraction에 대하여 Te는 증가하였습니다. 하지만 Chamber를 Al 재질로 바꾼후

위와 같은현상이 발견되었습니다.)

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [299] 77717
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20710
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57637
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69135
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 93385
356 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] 3744
355 플라즈마 임피던스와 Vpp가 관련이 있나요? [1] 3771
354 Vpp, Vdc 측정관련 문의 [1] 3801
353 Descum 관련 문의 사항. [1] 3839
352 DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [2] 3896
351 CCP/ICP 의 플라즈마 밀도/균일도 에 대해서 질문이 있습니다. [3] 3942
350 진공장치 챔버내 산소 또는 수분 제거 방법에 대해 [1] 3944
349 the lines of magnetic  induction are frozen into the perfectly conducting material에 대한 질문 [1] file 3983
348 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 4006
347 Deposition 진행 중 matcher(shunt,series) 관계 질문 [3] 4098
346 ICP plasma에서 RF bias에 대한 문의가 있습니다 [2] 4109
345 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [1] 4113
344 RIE에서 O2역할이 궁금합니다 [4] 4144
343 RPSC 관련 질문입니다. [2] 4148
342 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 4205
341 RF chamber에서.. particle(부유물) 와 RF reflect power연관성 [1] 4328
340 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 4398
339 플라즈마 색 관찰 [1] 4418
338 ESC 사용하는 PVD 에서 Center tap bias의 역할 4423
337 챔버내 Arcing 발생 개선안에 대해 질문드립니다. [3] 4740

Boards


XE Login