안녕하세요. 플라즈마응용연구실 관라자입니다.

 

금일부터 QnA 글을 작성하기 위해 등업제도를 일부 이용합니다.

 

해당 공지 게시글에 가입 인사를 적어주시면 QnA 글을 쓸 수 있는 권한을 받게 됩니다.

(*별도의 권한 처리 없이 댓글 등록시 바로 QnA 작성이 가능해집니다.)

 

글 작성 전에 반드시 댓글을 남겨주시고 QnA 글을 작성해주시기 바랍니다.

 

감사합니다.

 

** 기존에 글을 작성하셨던 분들도 권한 처리가 필요하므로 간단하게라도 댓글 부탁드립니다.

번호 제목 조회 수
» [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76711
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20163
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57164
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68687
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92253
27 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 2311
26 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 2321
25 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 2450
24 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2628
23 PR wafer seasoning [1] 2701
22 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 2737
21 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2869
20 Plasma etcher particle 원인 [1] 2962
19 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 2966
18 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 3522
17 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3963
16 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 4266
15 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 5265
14 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5452
13 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 5834
12 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 6243
11 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 6563
10 에칭후 particle에서 발생하는 현상 9506
9 ICP와 CCP의 차이 [3] 12478
8 ICP 식각에 대하여... 16914

Boards


XE Login