안녕하세요. 플라즈마 장비를 다루면서 당연시 생각했던건데 이유를 생각해보면 

막상 안떠오를때가 있습니다. 그래서 몇가지 질문드리려고요.

1.같은 메이커 같은 모델의  장비를 쓸때에도 depo rate, etch rate가 제각기 다른데

이런이유를 어떻게 설명해야될까요..

2.하루종일 장비를 안쓰면 etch rate가 달라지는데 leak가 있어서 진공이 달라진것도

아닌데 왜 이런현상이 일어날까요? 이런 현상때문에 일부러 dummy wafer를 칠때가

있습니다.

3.chamber를 open한 직후와 많이 양산이 돌아간 상태에서 마찬가지로 rate가 달라지는데

이유가 있을까요?

4.chamber 벽 표면의 물질이 달라지면 플라즈마의 특성, 쉬스 이런것들이 달라지나요?

(Sputter 장비에서 shield의 부산물 포획특성을 위해 coating의 물질을 바꾸는 경우가 있어

문의드립니다)

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [128] 5606
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16892
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51348
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64212
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 84192
71 [질문] ICP plasma 를 이용하여 증착에 사용하고 있는데요. [3] 22704
70 안녕하세요. O2 Plasma 관련 질문좀 드리겠습니다. 22727
69 No. of antenna coil turns for ICP 22789
68 DC glow discharge 22850
67 plasma와 arc의 차이는? 22864
66 광플라즈마(Photoplasma)라는 것이 있는가요? 23008
65 CCP 방식에 Vdc 모니터링 궁금점. 23031
64 self Bias voltage 23054
63 플라즈마 물리학책을 읽고 싶습니다. 23069
62 Arcing 23088
61 HVDC Current '0'으로 떨어지고, RF Bias Reflect (RF matching이 깨지는 현상) 발생 23108
60 N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] 23295
59 OES 원리에 대해 궁금합니다! [1] 23401
58 플라즈마 쉬스 23513
57 plasma and sheath, 플라즈마 크기 23614
56 Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 23764
55 플라즈마에 관해 질문 있습니다!! 23882
54 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. file 24039
53 H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점... [1] 24253
52 플라즈마가 불안정한대요.. 24321

Boards


XE Login