안녕하세요. 교수님

제가 현재 PECVD-CCP장비의 공정 Test를 하던 중

VHF(27M) Power를 점점 늘려감에 따라 Deposition Rate가 감소하는 경향을 보여 문의드립니다.

원인을 찾던 중. 발견한 논문에 따르면 어느정도 증가하다가 2차포물선 그래프를 띄며 Deposition이 감소하는데

이는 초기 증가분은 라디칼을 많이 생성해서 D/R을 상승시키지만 어느정도 증가하게 되면 Ion Bombardment가 커져서 그런 현상이 생긴다고 작성되어 있는데, 이해가 잘 안되서요.

제가 알고 있는 짧은 지식으로는 Power가 커지면 Density가 늘어나면서 Sheath영역이 작아지게 되는것 같은데 아닌가요??

 

Generally, the ion bombardment energy increases witIr"an increase in rf power because the sheath electric field increases as the
square root of the rfpower density.

라고 써있는데, 영문으로 작성된 이 내용이 정말 일반적인 내용인지..제가 이해를 잘 못한건지 궁금합니다.

또한 cathode와 wall 사이에 reactant gases가 고갈된다고 하는데. 너무 논문에서 당연한듯 이야기 해서 이유가 궁금합니다. 

In addition the depletion of reactant gases by the plasma between cathode and reactor wall is also regarded as a factor for the low deposition rate observed at high rf power.

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