안녕하세요, 에칭쪽은 처음 접해보게 된 연구자입니다. Wet 에칭 중에서도 HF 나 F2 의 SiO2 에칭에 관심이 생겨 알아보고 있습니다. 

시간별/온도별 pure HF 와 pure F2 가스의 fused silica glass (SiO2) 또는 quartz SiO2 표면의 에칭율 (etch rate) 자료를 찾아보고 있습니다. 근데 제가 구글 검색 능력이 떨어져서 그런지, 생각보다 별다른 자료가 많이 나오지 않습니다.   

제가 찾은건 

https://pubs.acs.org/doi/full/10.1021/ja993803z?src=recsys

https://www.seas.upenn.edu/~nanosop/documents/Etchratesformicromachiningprocessing.pdf

http://www.its.caltech.edu/~daw/papers/12-NW-preprint.pdf

이런 자료들을 찾기는 했는데, 여전히 순수 HF나 순수 F2 가스와 fused silica SiO2 그리고 quartz SiO2 표면의 온도별/시간별 에칭률이나 에칭반응계수를 찾지는 못했습니다. 

분명 오래된 논문들에 있을것 같은데 제가 검색어를 잘못 넣었는지 찾을수가 없네요. 혹시 wet etching 중 HF나 F2의 fused / quartz silica 에칭률 자료가 있으면 추천 부탁드립니다. 

감사합니다. 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [143] 5860
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 17324
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 53145
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64543
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 85156
94 etching에 관한 질문입니다. [1] 1675
93 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] 1682
92 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 1949
91 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 1974
90 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 1989
89 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 2011
88 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2196
87 Plasma etcher particle 원인 [1] 2248
86 Ta deposition시 DC Source Sputtreing 2253
85 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] 2454
84 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] 2456
83 PR wafer seasoning [1] 2486
» HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2546
81 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] 2755
80 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] 2775
79 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] 2854
78 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 2975
77 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [1] 3047
76 DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [2] 3187
75 플라즈마 색 관찰 [1] 3270

Boards


XE Login