Process Ta deposition시 DC Source Sputtreing

2022.11.19 05:11

TW 조회 수:2357

안녕하세요 

 

현재 반도체관련 회사에 재직중입니다. 

다름아니라  Ta material을 Deposition하는데 PVD에서는 DC Soruce sputtering을 이용해서 사용하는데 

RF source sputtering을 하게되면 어떤 단점이 있고 장점이 있을까요?

 

아님 Ta material에 대한 제한이 있는것 일까요? 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76540
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68615
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91696
122 ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] 1159
121 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] 1173
120 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 1234
119 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] 1268
118 [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [4] 1287
117 Ashing 공정에 필요한 O2 plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [1] 1292
116 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [1] 1352
115 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] 1365
114 poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. file 1399
113 Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] 1417
112 Ar plasma power/time [1] 1429
111 PECVD 증착에서 etching 관계 [1] 1471
110 Pecvd 장비 공정 질문 [1] 1637
109 CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] 1697
108 터보펌프 에러관련 [1] 1737
107 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] 1771
106 PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [1] 1784
105 RF FREUENCY 와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [1] 1828
104 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] 1879
103 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] 1899

Boards


XE Login