안녕하세요.

 

반도체 회사에서 일 하고 있는 연구원이지만, 플라즈마에 관한 지식이 부족하여 이렇게 질문드립니다.

 

Plasma etch rate에 관하여 궁금한 것이 있어 이렇게 글을 남기게 되었습니다.

 

CCP 방식으로 etch를 진행하는 챔버를 PM 후 공정결과가 E/R이 증가되는 경향이 보였습니다.

 

로그를 분석 해본 결과, PM 전후로 달라진 점은 shunt 값이 감소한 것 밖에는 없습니다.

 

RF V,I 도 변화하였지만, 그 값들은 shunt가 변함에 따라 변한 것으로 생각하였습니다.

 

제가 궁금한 점은

 

1. PM만 진행하였을 때 shunt 값이 변할 수 있나요?

 

2. 감소한 shunt 값으로 인하여 E/R이 증가할 수 있나요?

 

3. Shint 값이 변화한 것은 챔버 내부의 저항이 변화되었을 가능성이 가장 큰 것일까요?

 

이상입니다. 감사합니다!

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76539
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91695
723 PEALD 장비에 관해서 문의드리고 싶습니다. [1] 391
722 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 394
721 타겟 임피던스 값과 균일도 문제 [1] 399
720 안녕하세요 CLEAN GAS 관련 질문이 있습니다. [1] 405
719 ISD OES파형 관련하여 질문드립니다. [1] 420
718 Sheath와 Plasma Bulk에 걸리는 전압 관련 문의 [1] 420
717 PDP 방전갭에 따른 휘도에 관해 질문드려요 [1] 423
716 H-field 측정위치에 따른 H Field MAP 변화 관련 [1] 424
715 VPS 공정에서 압력변수관련 질문입니다. [1] 426
714 크룩수의 음극선도 플라즈마의 현상인가요? [1] 429
713 스퍼터링 Dep. 두께 감소 관련 문의사항 [1] 437
712 KM 모델의 해석에 관한 질문 [1] 438
711 remote plasma 를 이용한 SiO2 etching 질문드립니다. [1] 440
710 glass에 air plasma 후 반응에 대해 질문이 있습니다. [1] 441
709 Plasma 표면개질에 대해 질문드립니다. [1] 441
708 안녕하세요 DBD 플라즈마 소독 관련질문입니다. [1] 445
707 Fluoride 스퍼터링 시 안전과 관련되어 질문 [1] 450
706 플라즈마 전원 공급장치에 대한 질문 [1] 452
705 AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 455
704 Remote plasma source의 주파수 400kHz 이유 [1] 459

Boards


XE Login