질문에 대한 제 의견은 다음과 같습니다.
: HDP증착공정에서...
: 1.가스를 줄이게 되면 챔버 pressure가 감소하게 되고,
: 이에 따라 전자들의 속도가 증가하게 되겠죠?
: 전자들의 속도가 증가한다는 것은 충돌 가능성이 많아질 수
: 있는 계기가 될 것이고, 이렇게 되면 라디칼이나 양이온의 양이 많아
: 지게 되어 챔버의 온도가 증가하게 어 결국 증착 속도가 증가될거
: 같습니다.

1번에 대한 의견: 충돌 단면적은 전자에너지에 대해서 선형적이지 않습니다. 특정 에너지에서 최대값을 갖고 다시 줄어들게 되는데 이는 자연적입니다. 따라서 이런 현상을 같이 고려해야 할 것 입니다.


: 2. 가스를 증가시키면 챔버 preesure가 증가되게 되고, 이것은
: 전자들이 충돌할 수 있는 소스 가스들이 많아진다는 말이고
: 1과 마찬가지로 라디칼등이 많아지면 챔버 온도가 증가할 거
: 같습니다.
: 역시 증착속도가 증가하겠죠?

2번에 대한 의견: 가스의 밀도가 증가하면 당연히 전자와 충돌하는 빈도수가 증가합니다. 또한 전자의 에너지는 감소하겠지요. 전자의 온도에 따라서, 혹은 에너지에 따라서 여러가지 충돌 반응을 유발하게 됩니다
이온화, 여기, 해리, 흡착, 탄성충돌등이 전자의 엔너지가 낮아 지는 순으로 일어나게 됩니다. 따라서 전자가 어떤 에너지 군에 속하는 가와 충돌의 종류가 많다는 점을 같이 고려해야 합니다.

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