질문 ::

self bias(DC bias)전압에 대하여 문의드립니다.
실제로 DC bias sensor로 측정을 하고 sputter를하게되면
450[v]정도에서는 데포가 되지않고, 600[v]이상에서는 데포가 됩니다.
이것을 중요하게 생각하는것이아니라. 개인적으로
target size, chamber wall, impedance matching(?)가 관련이 있는것으로
생각되어지구요.. 이것이 맞는것이지,
다른 원인이 있는것인지 궁금합니다.

답변 ::

Self bais는 전극에 하전되는 전하량에 비례하게 됩니다. 따라서
따라서 하전되는 전하량은 당연히 전극의 크기와 플라즈마 밀도와
상대 전극의 크기등에 비례하겠지요. 플라즈마 밀도와 온도는
전극으로 들어오는 플라즈마 전류량에 영향을 미치게 되어 중요하고
전극의 크기들은 전체 하전량을 좌우함으로 또한 중요하게 됩니다.
아울러 플라즈마 임피던스는 플라즈마 밀도와 온도의 함수이므로
질문하신 플라즈마 임피던스도 관련되는 인자임이 틀림없게 됨니다만
보다 정확한 표현은 플라즈마 특성 인자들, 온도, 밀도라 하겠습니다.